掌握这4大技巧，提高学习单片机效率！

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有很多刚入行的初学者工程师在单片机这个领域经常是蒙圈的状态，完全不知道该从何下手，在开发过程中：代码的使用效率问题、单片机抗干扰性、可靠性等问题经常困扰着他们。为此，小编归纳总结出单片机开发中应该掌握的四大基本技巧，不要错过哦~
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# ~" p4 s. W8 q" P, ?一、如何提高C语言编程代码的效率
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用C语言进行单片机程序设计是单片机开发与应用的必然趋势。如果使用C编程时，要达到最高的效率，最好熟悉所使用的C编译器。 先试验一下每条C语言编译以后对应的汇编语言的语句行数，这样就可以很明确的知道效率。在今后编程的时候，使用编译效率最高的语句。

各家的C编译器都会有一定的差异，故编译效率也会有所不同，优秀的嵌入式系统C编译器代码长度和执行时间仅比以汇编语言编写的同样功能程度长 5-20％。

! x6 y( h2 ^4 I8 E2 k6 ~7 [: b对于复杂而开发时间紧的项目时，可以采用C语言，但前提是要求你对该mcu系统的C语言和C编译器非常熟悉，特别要注意该C编译系统 所能支持的数据类型和算法。
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& V7 }' A) g& h+ G; c虽然C语言是最普遍的一种高级语言，但由于不同的MCU厂家其C语言编译系统是有所差别的，特别是在一些特殊功能模块的操作上。所以如果对这些特性不了解，那么调试起来问题就会很多，反而导致执行效率低于汇编语言。
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8 G4 O% |1 `- G, G- z5 m二、如何减少程序中的bug？
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' ~1 g0 k9 a" u  R) q% y对于如何减少程序的bug，给出了一些建议，指出系统运行中应考虑的超范围管理参数有：

1．物理参数。这些参数主要是系统的输入参数，它包括激励参数、采集处理中的运行参数和处理结束的结果参数。合理设定这些边界，将超出边界的参数都视为非正常激励或非正常回应进行出错处理。

5 ]) w4 K# D* h# _' G. w# o2．资源参数。这些参数主要是系统中的电路、器件、功能单元的资源，如记忆体容量、存储单元长度、堆叠深度。在程式设计中，对资源参数不允许超范围使用。

3 g2 w$ q1 V6 l- w% K8 @2 z: G3．应用参数。这些应用参数常表现为一些单片机、功能单元的应用条件。如E2PROM的擦写次数与资料存储时间等应用参数界限。

& g  j1 B) k' d  P4．过程参数。指系统运行中的有序变化的参数。


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% R( q: u7 C" n三、如何解决单片机的抗干扰性问题

$ Z/ x! E4 ?( N/ V3 C9 N8 X防止干扰最有效的方法是去除干扰源、隔断干扰路径，但往往很难做到，所以只能看单片机抗干扰能力够不够强了。单片机干扰最常见的现象就是 复位；至于程序跑飞，其实也可以用软件陷阱和看门狗将程序拉回到复位状态；所以单片机软件抗干扰最重要的是处理好复位状态。
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$ v0 y# A, x* C& Z一般单片机都会有一些标志寄存器，可以用来判断复位原因；另外你也可以自己在RAM中埋一些标志。在每次程序复位时，通过判断这些标志，可以判断出不同的复位原因；还可以根据不同的标 志直接跳到相应的程序。这样可以使程序运行有连续性，用户在使用时也不会察觉到程序被重新复位过。

四、如何测试单片机系统的可靠性

有读者希望了解用用什么方法来测试单片机系统的可靠性“当一个单片机系统设计完成，对于不同的单片机系统产品会有不同的测试项目和方法，但是有一些是必须测试的：
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1．测试单片机软件功能的完善性。这是针对所有单片机系统功能的测试，测试软件是否写的正确完整。

2．上电、掉电测试。在使用中用户必然会遇到上电和掉电的情况，可以进行多次开关电源，测试单片机系统的可靠性。

/ W# K: g  f3 Z4 [2 r* a6 L3．老化测试。测试长时间工作情况下，单片机系统的可靠性。必要的话可以放置在高温，高压以及强电磁干扰的环境下测试。
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4、ESD和EFT等测试。可以使用各种干扰模拟器来测试单片机系统的可靠性。例如使用静电模拟器测试单片机系统的抗静电ESD能力；使用突波杂讯模拟器进行快速脉冲抗干扰EFT测试等等。
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还可以模拟人为使用中，可能发生的破坏情况。例如用人体或者衣服织物故意摩擦单片机系统的接触端口，由此测试抗静电的能力。用大功率电钻靠近单片机系统工作，由此测试抗电磁干扰能力等。
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6 x4 Y7 y9 S! ^5 O6 `& x以上四大技巧，你学会了吗？学会不重要，运用的好才是重点！！