TA的每日心情 | 怒
2019-11-20 15:16 |
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" Q: D2 |+ _9 C& UCool-MOS的优势4 _, ^' l& W/ ^9 M) S
% h/ q% O+ Y: c1 S0 c1.通态阻抗小，通态损耗小。
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由于SJ-MOS 的Rdson 远远低于VDMOS，在系统电源类产品中SJ-MOS 的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET 的导通损耗，提高了系统产品的效率，SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上，优势表现的尤为突出。
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) I s: D4 u ]6 N' S2 l/ ]2.同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高。+ Q( o0 ^. Q' m4 }- Y
, N& l& ?+ v( ^3 u% r& Z$ w7 r首先，同等电流以及电压规格条件下，SJ-MOS 的晶源面积要小于VDMOS 工艺的晶源面积，这样作为MOS 的厂家，对于同一规格的产品，可以封装出来体积相对较小的产品，有利于电源系统功率密度的提高。$ R# C- ~1 p- c. t* X
* s+ ~; N+ q0 L I# e; `/ L5 x其次，由于SJ-MOS 的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗，因为这些损耗都是以热量的形式散发出去，我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS 单体的温升，使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS 可以有效的减少发热量，减小了散热器的体积，对于一些功率稍低的电源，甚至使用SJ-MOS 后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。 q8 e3 n) d0 A6 {, j1 |
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3.栅电荷小，对电路的驱动能力要求降低。# `, d( Y/ I* a$ ]8 o. M H
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传统VDMOS 的栅电荷相对较大，我们在实际应用中经常会遇到由于IC 的驱动能力不足造成的温升问题，部分产品在电路设计中为了增加IC 的驱动能力，确保MOSFET 的快速导通，我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路，从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS 的栅电容相对比较小，这样就可以降低其对驱动能力的要求，提高了系统产品的可靠性。
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0 M; W" t! A' }; c2 K4.节电容小，开关速度加快，开关损耗小。& J) T% D2 }7 p: d2 ~/ O
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由于SJ-MOS 结构的改变，其输出的节电容也有较大的降低，从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS 栅电容也有了响应的减小，电容充电时间变短，大大的提高了SJ-MOS 的开关速度。对于频率固定的电源来说，可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上，效果更加明显。
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