模拟电子学习40条

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1、 同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等。

2、 反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念。
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* @6 ]6 b7 C1 ]4 D( o: o* E3、 PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了。

4、 高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）。

: W0 \* m* k5 J7 n  V% b9 `* ~5、点接触型二极管PN结面积小，结电容小，适用于高频小电流电路；面接触型二极管PN结面积大，可通过电流大，适用于大功率整流电路。

- L3 N( M- l  b2 K! Y( f$ i: w% G) W. N6、 硅管正向导通压降0.7V，锗管为0.2V。
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7、 齐纳二极管（稳压管）工作于反向击穿状态。

8、 肖特基二极管（Schottky，SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大。
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4 K, W7 r" T4 S0 [. Y) E9 p; ~9、 光电二极管（将光信号转为电信号）。

( I  T/ q* G& o" U6 h3 y/ }- l# _10、二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流。

11、 三极管有发射极（浓度最高《需要发射电子（空穴）嘛，当然浓度高了》），集电极，基极（浓度最低）。箭头写在发射极上面《发射的东西当然需要箭头了！》。

4 F* c# p, H7 m1 n  q' [( C" \$ T12、发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式：共基极，共发射极（最多，因为电流，电压，功率均可以放大），共集电极。判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出；共集电极，由基极输入，发射极输出；共基极，由发射极输入，集电极输出。

13、三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，（集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域）。
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14、三极管数学模型：单管电流放大。
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0 m. N3 m& [& [; ?) ^" p* T8 T15、射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）。
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0 [, Q& I  |" W. v16、三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。
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3 }$ \" i( J" x" T% N2 I& z) D5 Z$ E17、去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。

18、BJT是一种电流控制电流型器件（双极型），FET是一中电压控制电流器件（单极型）。
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4 z; ^5 |; O$ G. [, a19、 主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
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2 v6 s% m9 u4 Y# L; I6 m20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。《源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate，门一样的存在，和基极的作用差不多》其中P型衬底一般与栅极g相连。

& X- ]% w' v/ D! D/ Q21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作）。
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, y. r0 L) q9 [4 Y( d22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。
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% W. C% a; L  |# a2 g9 [23、MOSFET主要参数：开启电压Vt，夹断电压Vp。极限参数：最大漏极电流Idm，最大耗散功率Pdm。
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24、MOSFET三种放大电路：共源极放大电路（共射极），共漏极放大电路（共集电极），共栅极放大电路（共基极）。

9 z5 n0 a' C9 w1 A, z8 n* ^, F25、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2。
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6 M: C& `3 w* `1 t2 V/ u5 W26、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr。

27、集成运放的温度漂移是漂移的主要来源。
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28、集成运放的参数：最大输出电流，最大输出电压。
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1 ]; N0 S2 }; L" g- R( q29、VCC是电路的供电电压， VDD是芯片的工作电压。
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5 i1 s8 {9 V8 Y7 \, G) Z30、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动（采用稳压电源，输入和输出加上滤波电容）。
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% w4 x! V+ c; y' q" ]6 |: n/ M: q31、负反馈放大电路的四种组态：电压串联负反馈（稳定输出电压），电压并联负反馈，电流串联负反馈（稳定输出电流），电流并联负反馈。

4 z9 \0 @  r* ?! c32、电压、电流反馈判定方法：输出短路法，设RL =0，如果反馈信号不存在，为电压反馈，反之，则为电流反馈。

33、串联、并联反馈的判定方法：反馈信号与输入信号的求和方式，若为电压形式，则为串联反馈，若为电流形式，则为并联反馈。

34、功率放大电路的类别：甲类（全部）、甲乙类（50%以上）、乙类（50%）（按照输入信号在整个周期流经器件大于0的百分比）。
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! E" y9 b1 b8 x  ~3 X  N35、RC振荡电路适用于低频，LC振荡电路适用于高频电路。

36、电压比较器，时滞比较器，集成电压比较器，方波产生电路，锯齿波产生电路。
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37、直流稳压电源：电源变压器à整流电路à滤波电路à稳压电路。

38、滤波电路：利用电抗元件的储能作用，可以起到很好的滤波作用。电感（串联，大功率）和电容（并联，小功率）均可以起到平波的作用。

39、开关稳压电源与线性电源：线性电源，效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源，效率高、发热一般、但输出纹波大，需要平波。
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40、开关稳压电源有降压和升压两种，降压中有续流二极管，LC滤波电路。升压中有电感，稳压二极管，电容。
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