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STM32中 IO 模式

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    2023-5-15 15:25
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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2024-11-18 15:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    0 z, E: R7 c0 r9 r2 _' a' Y6 s  a: l+ ?% g9 q8 c8 R
    在 STM32中选用 IO 模式; q: F+ r7 p9 c7 s, [
    (1) 浮空输入 _IN_FLOATING —— 浮空输入,可以做 KEY 识别, RX9 p$ ]$ G' o+ e( }+ U& G
    (2)带上拉输入 _IPU—— IO 内部上拉电阻输入
    - X, w& S: ^* i# t  D" ?(3)带下拉输入 _IPD—— IO内部下拉电阻输入( P8 O5 r- v1 E# i
    (4) 模拟输入 _AIN —— 应用 ADC 模拟输入,或者低功耗下省电2 t! _- O* q! v) M( L3 W4 m
    (5)开漏输出 _OUT_OD —— IO 输出 0接 GND , IO 输出 1,悬空,需要外接上拉电阻,才能 实现输出高电平。当输出为 1时, IO 口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式, 这样 IO 口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。 可以读 IO 输入电平变化, 实现 C51的 IO 双向功能& r: X5 F' q; w% I: d" ~2 d/ K
    (6)推挽输出 _OUT_PP —— IO 输出 0-接 GND , IO 输出 1 -接 VCC ,读输入值是未知的( K7 Y3 X$ f/ m* C- p+ t
    (7)复用功能的推挽输出 _AF_PP —— 片内外设功能(I2C 的 SCL,SDA )- r' X* Q  ~7 W5 p' S7 C
    (8)复用功能的开漏输出 _AF_OD—— 片内外设功能(TX,MOSI,MISO,CLK,NSS )
    # l# a5 V4 X. P6 H3 TSTM32设置实例:% |! {2 q9 n0 ]/ B9 G3 {2 L
    (1)模拟 I2C 使用开漏输出 _OUT_OD,接上拉电阻,能够正确输出 0和 1;读值时先3 k. j$ z1 T9 o+ C
    GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_0);拉高,然后可以读 IO 的值;使用
    ! L4 I$ |" a, U7 t5 H: p& NGPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_0);
    ; m& h) ~, Z- g2 D; @3 Q(2)如果是无上拉电阻, IO 默认是高电平;需要读取 IO 的值,可以使用带上拉输入 _IPU和 浮空输入 _IN_FLOATING和开漏输出 _OUT_OD;
    1 K1 n4 Z; c' u& g9 R$ Y- k7 }% P; o
    + D8 ~% U/ e6 ~

    & v- x$ ]/ O/ u/ o
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