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一、瓷介电容器(CC)
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2 z2 G& ?1 F$ V1.结构
$ x7 G1 i/ u& v- I G3 o用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
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2.特点5 S, G/ X9 ~( m* L3 K; v* E
1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。7 L) ~' w6 N) O- x) C/ @2 s8 N
1 [; c1 `/ Z; {" j2 a, d+ o/ k2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。' Z }; k9 ^; M4 o- [
) m$ O$ \$ L# ]6 O V3.用途1 A+ ?& O: w) \1 u% y
1类电容主要应用于高频电路中。2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。& `( N' }$ S o! E
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二、涤纶电容器(CL)
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Z ~& f' ]& G" I( b" G1.结构涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。
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2.优点耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。4 ?5 O7 L2 X4 L% ]
& R/ j7 u- F. y1 \+ K% S3.用途一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。+ z! j, }4 l- `, J" {
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三、聚苯乙烯电容器(CB)$ \, p% f' O* F' w
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1.结构有箔式和金属化式两种类型。
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0 ]4 j* ^& n) K& Y2.优点箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。
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3.用途一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、 CB40 (密封型金属化)等系列。( [" ]$ A0 L" q+ q
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