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& @0 ~; Q$ F7 H- _. a; p一、瓷介电容器(CC)$ C6 q0 ~2 q& |* e4 _( B7 D3 A9 Y
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1.结构8 o8 B* @9 F: q; Q7 A* j# t2 @6 G
用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)和 3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
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. N2 e! P! @3 K# b2.特点
, `' |+ H$ H% A( U3 B4 N6 ?1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。1 }8 [4 x3 @7 z4 ^2 |
! K/ w8 f- v/ d& w+ J) [$ ?9 `2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大(最大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。
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3.用途7 M W9 o0 J. \* B/ g' U' [
1类电容主要应用于高频电路中。2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。4 r+ J: U& o6 d r& d
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$ d0 r' ~6 M. @' u; G二、涤纶电容器(CL)1 x2 Q6 p! S; |6 s$ Y/ K
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1.结构涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。
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2.优点耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。
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* G4 y x& V2 w, y& A) ^3.用途一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。
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三、聚苯乙烯电容器(CB)
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& v: T$ q u8 O2 s, d1.结构有箔式和金属化式两种类型。; f0 l# n# T& R: P
* F( |" S! F" B1 V7 z- `2.优点箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精度高,但体积大,耐热性较差;金属化式防潮性和稳定性较箔式好,且击穿后能自愈,但绝缘电阻偏低,高频特性差。9 R7 D9 Q1 @* d' ?) v; o
1 V% T. K6 }; k1 i3.用途一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、 CB40 (密封型金属化)等系列。: ~9 Q: p. g. t6 C4 H
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