单片机退耦电容是否应该就近打过孔到地？晶振匹配电容的地如何处理？

any_014 · 发表于 2012-8-16 10:40

问题一：
以前一直这么觉得的，但看到一篇文档NEC的，他是这么建议的。
问题是，退耦电容的地，是就近打过孔到地层好呢？还是地线由退耦电容经单片机地管脚汇到单片机下的大面积地，再经过孔到地平面？

any_014 · 发表于 2012-8-16 10:45

本帖最后由 any_014 于 2012-8-16 11:06 编辑

问题二：
晶振匹配电容如何接地？
但NEC的一篇文档这样告诉我。

any_014 · 发表于 2012-8-16 11:20

any_014 发表于 2012-8-16 10:45 " B2 h; x# I: m3 ~* A- I1 z
问题二：6 j) s3 A: B6 S+ W
晶振匹配电容如何接地？7 o2 x' V- q- [" R$ L
但NEC的一篇文档这样告诉我。

又看到了一篇。

xiahang · 发表于 2012-8-27 19:26

下来学习一下，非常感谢1

cz0924 · 发表于 2012-8-28 09:12

退耦电容布局

coolgold · 发表于 2012-8-28 13:57

有的单片机的肚子上有个焊盘，通常是连接到地平面来进行散热的，所以可以像楼主这样的设计，而且文章也提到是一个“折衷”的方法，可以省去过孔。有的单片机肚子上没有这们的焊盘，就近打过孔是必须的。富士通的建议是最佳的。

joshcky · 发表于 2012-8-28 16:34

回流路径相差不多，只有理论值上的误差存在。

保证电流流向正确，地孔选个择中的办法就行了。实际中也看不出撒差别。

sinsai · 发表于 2012-8-29 17:10

下来学习一下，非常感谢！

weman · 发表于 2012-8-30 08:59

学习中，，，

a1521595706 · 发表于 2012-8-30 21:45

any_014 发表于 2012-8-16 11:20 3 A+ @$ {5 y m9 }- Y* F2 ], A) d2 [
又看到了一篇。

如果是多层板，有独立的GND以及电源层。按这些图上的意见是否成立

any_014 · 发表于 2012-9-12 10:51

a1521595706 发表于 2012-8-30 21:45 ) S0 v5 F4 v1 K; N
如果是多层板，有独立的GND以及电源层。按这些图上的意见是否成立

这也是我疑惑的地方.

513924900 · 发表于 2012-9-12 13:06

学习了，还不知道接地有这么大差异！

weixishun713 · 发表于 2012-9-14 13:21

不错的东西！

qiangqssong · 发表于 2012-9-14 16:28

谢谢,楼主费心了!!!

xin_515 · 发表于 2012-9-17 10:16

后者比较好，将单片机下面的地噪声经电容流到地平面

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