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优选FHA3N150A场效应管在电焊机辅助电池电路中代换2SK1317型号参数使用

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 楼主| 发表于 2024-4-22 19:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电焊机辅助电池在选用场效应管时,核心要注意5点大要求:
( ~" {# T/ s% P
& w' a# Y) i; n9 S7 @1.电压和电流参数:根据电路的工作电压和电流要求,选择耐压和电流容量合适的MOS管。7 M( F1 R& M0 \6 P+ u
2.开关速度:选择开关速度足够快的MOS管,以满足电焊机对动态响应的要求。5 t: f7 D+ l1 V. ?
3.导通电阻:选择导通电阻较小的MOS管,以减小功耗和发热。
& s; Q4 d& h( Q: [( i$ z( a4.封装形式:根据电路板的布局和散热要求,选择合适的封装形式,如TO-220、TO-247等。6 C; ^. ?# }& |0 F' x7 d
5.品质可靠性:选择品质优良、可靠性高的MOS管,以确保电焊机的稳定运行。6 V6 m# A' K8 ]4 O) g5 H
% H2 o; R$ w- Q& o
; C7 U+ b$ ^6 t  \
目前在市场中除了2SK1317场效应管符合外,还会有性价比更高的纯国产FHA3N150A场效应管供辅助电池开发工程师选择使用。0 K) |- Z1 t" J
6 f, [1 W4 B0 Z% x) l1 P
核心是目前在国产市场中FHA3N150A型号场效应管是能完美在电焊机辅助电池电路中使用,这一点是已经获得众多的研发配电箱电路的厂家所认可的。除了最基本的3A、1500V参数外,还因其具备优秀的产品特点:  W& u6 s2 N% X' g- M; A

# O+ o9 [- \+ M7 e- q1、低导通内阻: B' u% K% \. L+ U% ?
2、高抗dv/dt能力
0 m! Y( i6 n3 J. O2 m- N3、低 Crss (典型值 32 pF)
( ?4 d( E* Z3 c5 N6 ~4、100% EAS测试(抗冲击能力强)
1 H& I0 p5 \: x' v5、100% DVDS热阻测试(散热性能好)1 E  P" J/ {: J9 A) K
6、100% Rg测试
0 J1 B2 R# b% ^0 K7、满足工业级可靠性要求: G5 @3 @# Z+ O; r/ Q- b
  Q$ @; p$ g6 }# X" z

3 W( o4 j% B. J5 a6 b当然除了产品具备的优良特点外,FHA3N150A能替代2SK1317高压MOS管型号型号其还具备优良的参数:$ o4 r3 `( Q! S+ `3 f* f

8 H7 e0 x; W5 ]# E+ M% }1、N 沟道增强型场效应晶体管
/ r( a, Y) ?' s2、最高栅源电压Vgs(±V):±30V;VGS(th):2.0-4.0V;
- ?. }- S5 @: `5 f3、最大脉冲漏极电流(IDM ):12A
2 P) x- Q2 R% X3 U8 N: D" D5 E4、ID(A):3A;BVdss(V):1500V; I5 `  @0 o: Y7 }
5、TO-247封装产品
$ U# T* U/ q) x% _; F6、反向传输电容:32pF
& @3 q4 Q5 t1 i: ?7、静态导通电阻RDS(ON):5Ω(Typ)、6.5Ω(Max)(测试条件:VGS =10V , ID=1.5A )
5 U& h: b! ^2 Y) T! B$ V, C3 E5 @5 f7 L# D5 B9 a

+ L' u# Z2 e+ Q3 V/ z* C因此对于想要选择代换2SK1317场效应管用在电焊机辅助电池的电路中,建议直接选择性价比高的FHA3N150A场效应管。& \" Y5 @7 l- P9 D2 O+ O3 f# o

5 A# `# w% W* h( r: u) L飞虹半导体在为电子厂商专业的产品,一站式配齐功率器件的服务,始终站在用户需求出发。$ E1 ?* ?8 u; @7 ^( A. A, v% X! U
它良好的制作工艺与参数性能给电焊机辅助电池电路做更好的适配,保障产品的可靠性。
9 J. ?$ r4 W# p3 K4 A& ?" K4 Q4 L2 P, ?" G4 y8 l  W5 W
国产市场快速迭代,产品质量提升选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如智能音响、家用电器、LED照明、汽车电子、电瓶车、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可
/ l4 M( I* d  b5 L! `; Z. E1 d* w! i: ?3 @  V, e
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