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[仿真讨论] 请教关于内层差分的阻抗控制

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-1-8 15:27
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2012-8-8 14:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    请教一下各位高手们:3 _" o* V3 j: Z
    最近做了一块8层板,层叠是SGSPPSGS,第三层有几对差分线,设计时是参考第二层的GND的,第4层电源层差分线下方平面不完整。结果印制板厂反馈第4层平面不完整无法做阻抗控制。说内层差分线必须有两面屏蔽的参考平面才能做阻抗。' y. ~& W7 c! s+ }2 p2 g
    这个我不是太理解。按照自己的理解,参考平面是给差分线提供回流路径的,为什么一定要有两个参考平面才能做阻抗呢。而且SI9000里也是有差分线只有一个参考平面的计算模型嘛。
    ( b. l& Y( p+ _+ l4 ?# t如果按照这样说,内层的单端走线是不是也要求必须有两个参考平面?. _3 W; j. p2 g9 {1 E
    9 w$ T' E; k; m: x
    请各位高手帮忙解惑,非常感谢!

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2012-8-9 16:29 | 只看该作者
    这个板厂应该说的有道理,同一根线如果不同段阻抗参考模型不同,则会影响很多参数,这个估计要分段计算和走线才行!!

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2013-6-20 14:56 | 只看该作者
    楼主最后问题怎样解决的呢?

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2013-6-26 14:21 | 只看该作者
    应该不会要求电源层是完整的平面. 我们也一直使用分割的电源平面的.
    ) J" Z( R4 C5 ]( E0 U6 H3 C只要差分线没有换平面就可以了.

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2013-8-1 09:29 | 只看该作者
    本帖最后由 lmh830626 于 2013-8-1 09:32 编辑
    $ L) [, O1 y8 V. B% z; s: h; n
    . @# v' [% u0 C+ A; @' E: ^  O0 W我这儿有一个八层板子,CPU与SDRAM的连接的地址走线区域对应的相邻层是不完整平面。+ S: {" {4 X* d

    5 f4 `9 Z% J2 u/ v这是飞尔卡思的一个开发板。; V& r% O( x! W1 [5 f; d- m+ Z

    ! E5 `3 d& G2 x' y& t1 I$ S

    未命名1.jpg (16.9 KB, 下载次数: 2)

    八层板层叠

    八层板层叠

    未命名.jpg (199.04 KB, 下载次数: 1)

    中间黄色的竖线大部分是地址线,它的下层是完整的地平面,上层是不完整的电源层。

    中间黄色的竖线大部分是地址线,它的下层是完整的地平面,上层是不完整的电源层。
    头像被屏蔽

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2013-8-1 14:22 | 只看该作者
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