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[仿真讨论] 电容跨平面的影响

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发表于 2012-7-31 17:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 qaf98 于 2012-7-31 17:56 编辑 0 }5 G" w/ v* \  Y$ o4 Q9 W6 z
% [7 @/ A, J: g) G
做了个实验,看电容跨平面后对附件信号的S参数影响。
; z- K, V* @& B3 d( J& k8 Y * y- h+ Z7 P: S  U
1: 50mil内放置一个0.1UF电容。6 D3 u) M; ~4 z' }& f3 k
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2:TDR 图示, L/ w- S/ z( @' ]4 k* u+ E) T

' a! i3 k- [4 z' J( A6 G3:做多个信号,分别离电容的距离是,100,200mil ,300mil,500mil 的情况的S参数如下图。
# n9 }. l& n6 P0 B* ?; d  K( k3 ?* b   e" f: j: I& P8 {# y
7 T5 E2 D0 p! \4 G; H
3 [# A9 C1 Q; l0 z8 T( y

该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2012-7-31 18:02 | 只看该作者
个人感觉,当距离超过500MIL之后,s参数下降就超过3DB, 可以认为电容的影响不大了。

该用户从未签到

3#
发表于 2012-7-31 22:55 | 只看该作者
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