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[仿真讨论] 电容跨平面的影响

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发表于 2012-7-31 17:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 qaf98 于 2012-7-31 17:56 编辑 ! Q! c, V3 `0 c. t

  N$ S3 W2 @) `做了个实验,看电容跨平面后对附件信号的S参数影响。9 Q) W5 a- ~* [4 T5 O+ t  g
% R1 I5 L0 Z' [8 o
1: 50mil内放置一个0.1UF电容。
; }8 {" w6 o1 N  }4 d. g * \) ?  Q0 f9 ~( P6 F( ^. h6 o

  ]$ A7 L  ?/ J- }( T+ _, g; w2:TDR 图示
! [* F; q. f* b$ S3 }  J8 ` & K3 B7 |8 H4 s+ g" T. n
3:做多个信号,分别离电容的距离是,100,200mil ,300mil,500mil 的情况的S参数如下图。
* v3 Y) a2 D; B$ X8 K  t) i
2 M7 L) G# a9 F' R4 J: R; m5 s8 v" v. d, F/ E9 d

0 N/ M2 J8 C8 J$ {" D

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2#
 楼主| 发表于 2012-7-31 18:02 | 只看该作者
个人感觉,当距离超过500MIL之后,s参数下降就超过3DB, 可以认为电容的影响不大了。

该用户从未签到

3#
发表于 2012-7-31 22:55 | 只看该作者
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