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本帖最后由 mashimaro2008 于 2012-6-8 12:34 编辑
5 K7 R& x; V3 T' d5 T9 }
( W+ X4 c; c8 y i# `不好意思,也许是我没说清楚
, x+ d9 s+ Z3 r" s. t6层板的叠构是Top/GND/in1/in2/VCC/BOT
) D4 J$ m3 ~. Q% [- Q C* X1,“SATA信号不要走在phase/boot的正下方。。。。”---》即使中间隔着一层Ground层?
6 `% J1 Q+ V$ V5 F4 o- A! w2,为什么?其它层离inductor远一点?$ x& m4 D0 Z, o+ B# G7 e1 b) J0 l
: e# {4 \6 @( ]! y1 g; w各位,我想问的重点是6 h5 r+ H* J& k" Y) l/ R) }- u( z' W/ @
1,phase/boot/gate是noise源,请问其他地方比如MOS, inductor, PWM IC正下方是不是niose也很大? L& i, {6 W: X
2,同层之间高速信号要跟这些noise要保持足够的距离,那如果是不同层呢?尤其是之间隔着一个GND层的时候 |
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