TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
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001__力科DDR2测试解决方案-Ethan》（百度文库）
8 L [- `( \9 {2 r! I8 T$ n) W时序测试这部分中有段这文字，摘录如下：
" k) n2 c C& V& |& F! x# o& T+ d2 c' ^
“时序测试部分主要对DDR2数据、时钟及控制线上各种时序进行测量，包括数据输入建立/保持时间、数据输出保持时间、数据读/写时DQS前导/后续时间、时钟半周期宽度、DQS输入高/低脉冲宽度等等二十余项参数。其中，在对数据输入建立/保持时间（tDS、tDH）进行测量时，JEDEC标准规定需要根据写数据时的DQ及DQS信号斜率对测得的建立保持时间进行修正。下表为JEDEC标准中对应DDR2 667/800的输入建立/保持时间修正参数表。例如，写操作时当DQ测得的斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时，测得的DQ – DQS建立/保持时间需要加上67ps的修正值之后方能与标准中规定的最小建立/保持时间相比较。”* F! g; O9 h& B1 x; X
- h. c# Q) b" u& s7 c5 N
按照这个思路：/ s' H9 k. ], g# i' q6 j, M
; ]8 Z+ s0 a* @' O! b: j5 H2 w
标准里面规范DDR2 667/800时候的tDS(base)=100ps；tDH(base)=175ps' F: L: ~& M1 E# \9 U% d
对应DQ斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时的修正值分别为67ps与21ps
: T. x* k) O0 H+ v3 [8 a! v这时tDS=tDS(base)+67ps=100ps+67ps=167ps；tDH(base)=tDH(base)+21ps=175ps+21ps=196ps# t' [4 d" p) ^! P4 Y# r
* S' M6 v$ m6 I5 p( i; J# R1 K那么是不是就有：
5 T c+ ?! }$ H( b测试到的建立时间+67ps>167ps时才能算符合标准
, J ]) G/ E) b/ t测试到的保持时间+21ps>196ps时才算符合标准& N: ?7 q* H$ Q7 v
& ?6 `" b' s( W
-------------------------------------------------------------------0 O. y) {0 B: U, Z# B2 V. V
上面是差分的例子，现在在回到DDR2 400/533单端DQS下的情况，再重新梳理一下思路
, z; j" f# M V1 J
7 y$ z% q! ]. T（1）规范P89页内容中tDS(base)=tDH(base)=25ps" S4 ]. b' x3 H. o0 H$ w
（2）规范P74页内容中“Specific Note 6 Timings are specified with DQs, DM, and DQS’s (DQS/RDQS in single 1 F+ j: X! Z, P/ u6 Q, v" B1 N( @
. P: I5 U) l. f: e# D6 F, s
ended mode) input slew rate of 1.0V/ns”是否就可以理解为不管是差分DQS还是单端DQS，被测的DQ的slew $ f6 ^3 ^0 s$ W& A8 G
, D& d0 X+ r7 c4 Y) U
rate=1.0V/ns
7 n8 v. ^( `0 O+ ^6 i) j. ~（3）按照规范P95页内容“Specific Note 7 Timings are specified with CK/CK differential slew rate of 2.0
0 X h* H/ u; {7 R
, b5 t! b# L; F5 q6 H5 p6 V, T" a4 s; o* {V/ns. Timings are guaranteed for DQS signals with a differential slew rate of 2.0 V/ns in differential
( ?' _! Q+ q. d l# J) I
2 c1 ^& M- H F! x/ Q! d9 tstrobe mode and a slew rate of 1 V/ns in single ended mode. See Specific Notes on derating for other slew
# h" v: q C4 t% u1 H5 X$ O5 l# k. ~" n5 E7 R
rate values.”1 E* x) C l2 t! }) z9 y
此时的DQS slew rate=1 V/ns+ p5 e+ d$ J+ S2 E2 W5 n4 ^
（4）这样DQ slew rate=1.0V/ns；DQS slew rate=1 V/ns，查P96页Table 46可以看到修正值均为0
' C- n! \. E" K3 C（5）从P98图示的DQ与DQS之间下降沿tDS是VIL(ac) max至VIH(dc) min之间的这段时间
9 k9 Q0 S% L7 E+ V+ ^8 P% ]0 d查P74页Table 20 — Input DC logic level与Table 21 — Input AC logic level% o3 U1 ^" B1 [ }$ X' b
+ S& n0 h z4 a* M* D% G. X3 O7 ~8 OVIH(dc)min=VREF + 0.125V$ H) L3 i& N: [8 T: U' x
VIL(dc)max=VREF - 0.125V. ~0 Y: z% K4 i# n" f
VIH (ac)min=VREF + 0.250V (DDR2 400/533)) f( l8 B3 Q, ]# R
VIL (ac)max=VREF - 0.250V (DDR2 400/533)
; l/ ~% q2 o% }5 p
' [+ k, {, V3 b+ U3 j9 s( R6 F t# L3 j$ K+ T8 u/ s& U- w5 {
ΔTF=(VREF(dc) - VIL (ac)max)/(1 V/ns)=0.250V/(1 V/ns)=250ps5 u, L5 ?9 T9 Q( S: J+ P
tDS=(VIH(dc)min-VIL (ac)max)/(1 V/ns)=(0.125V+0.25V)/(1 V/ns)=375ps4 H2 }0 A& [! M0 Y
& s/ }* b) R3 M
按这个时序图里面算出的时间比查表算出的25ps大
4 g* W2 H/ s: F* U
" m0 _6 y8 ~" r“注意到上面的两种不同DQS形式的差异：对于单端，即使在补偿后，仍然还是"base",也就是说，单端信号仍然是建立时
" M2 ]( N1 C y4 @! ^: N& S3 V6 ^5 n( ]' Q( ]" _: [' p
间是参考dc，保持时间参考ac参考page97的table85，page98的table86.这个时候，我们需要加上DQ的边沿时间，将其换
1 z9 q8 s# ]2 l G9 J. ^; J: A
6 T: | b* ^5 w# z6 \算到Vref的电压点。”7 }9 K8 A! |- N$ Z+ B7 K- N
; V6 c; p( \, [, l' E% S0 Q其中“page97的table85，page98的table86”我在JESD79-2F没找到，是不是笔误？
/ x" J( t+ [0 p- S2 V另外“我们需要加上DQ的边沿时间，将其换算到Vref的电压点。”这是加上了ΔTF或者ΔTR？
3 z( r! I$ ?, F+ Q2 Y Y7 J+ h3 x7 ]% V; }: T' o8 p6 N2 _
所以这块在理解上还是有一些困惑在里面
/ r0 V% `4 ~* Y' l2 p. m" q
! ~% n7 _ L1 r, [9 _) y, a因为在差分的时候也同样存在ΔTF或者ΔTR |
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发表于 2012-5-21 19:09
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发表于 2013-9-26 12:49
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