TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
|---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
001__力科DDR2测试解决方案-Ethan》（百度文库）
% a1 u6 `, d/ ^/ ~7 s# z时序测试这部分中有段这文字，摘录如下：
n1 L I5 ~& `+ Q' n) E( [
: W% l! m9 J9 V% A) z; y“时序测试部分主要对DDR2数据、时钟及控制线上各种时序进行测量，包括数据输入建立/保持时间、数据输出保持时间、数据读/写时DQS前导/后续时间、时钟半周期宽度、DQS输入高/低脉冲宽度等等二十余项参数。其中，在对数据输入建立/保持时间（tDS、tDH）进行测量时，JEDEC标准规定需要根据写数据时的DQ及DQS信号斜率对测得的建立保持时间进行修正。下表为JEDEC标准中对应DDR2 667/800的输入建立/保持时间修正参数表。例如，写操作时当DQ测得的斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时，测得的DQ – DQS建立/保持时间需要加上67ps的修正值之后方能与标准中规定的最小建立/保持时间相比较。”, ]- q, o0 ~7 g6 R' p: N' `! M* j
6 f. Q5 {9 x3 Z. W9 H# w; m
按照这个思路：
( j1 b/ u, x% u
2 @7 o/ e* Y/ [5 N! ?* U标准里面规范DDR2 667/800时候的tDS(base)=100ps；tDH(base)=175ps( _% N; b& A' }0 a9 @
对应DQ斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时的修正值分别为67ps与21ps
1 ]0 v! x, s" ]& _% P这时tDS=tDS(base)+67ps=100ps+67ps=167ps；tDH(base)=tDH(base)+21ps=175ps+21ps=196ps
, _. p0 d9 g( g8 ]* _2 ?- {. N+ S' {- z7 T
那么是不是就有：4 L3 {* V/ y0 N, q- G
测试到的建立时间+67ps>167ps时才能算符合标准
. C) @: p$ e5 v& Z# ~1 D测试到的保持时间+21ps>196ps时才算符合标准
* L0 B2 v) v! Q6 x+ Q/ H2 V. L/ t5 v9 S2 Q2 x
-------------------------------------------------------------------. u* _! A' a) v0 K
上面是差分的例子，现在在回到DDR2 400/533单端DQS下的情况，再重新梳理一下思路% O+ S! L1 G# q) d+ Z j
) ]# {7 F, X5 b2 v, ^（1）规范P89页内容中tDS(base)=tDH(base)=25ps9 Q# |$ Q1 T. \; V
（2）规范P74页内容中“Specific Note 6 Timings are specified with DQs, DM, and DQS’s (DQS/RDQS in single $ y+ C9 t* t( N0 U8 T
+ Z: c6 b( Y/ ]- B, j. \ended mode) input slew rate of 1.0V/ns”是否就可以理解为不管是差分DQS还是单端DQS，被测的DQ的slew
/ m- a- d6 q- Y; M% P2 j! { P8 X: N( c. m
rate=1.0V/ns" \* l& ], N' _" \) z5 r4 f1 }, d
（3）按照规范P95页内容“Specific Note 7 Timings are specified with CK/CK differential slew rate of 2.0 . o& V t' J% ~/ a+ T+ w A6 f
$ W$ d# B2 j; ] AV/ns. Timings are guaranteed for DQS signals with a differential slew rate of 2.0 V/ns in differential
+ `0 A5 \# I3 H9 U
4 C6 v0 e, ]- g/ P G# hstrobe mode and a slew rate of 1 V/ns in single ended mode. See Specific Notes on derating for other slew 9 T) _2 L) S8 t5 a2 Q" f3 A+ Z6 N- `
: ?) T& }: ]+ u4 H6 I
rate values.”
6 c: K/ B0 Y/ V4 }9 z此时的DQS slew rate=1 V/ns
( c, ?# r. X+ X（4）这样DQ slew rate=1.0V/ns；DQS slew rate=1 V/ns，查P96页Table 46可以看到修正值均为0
^* B) a$ Y+ _2 f2 Q& T（5）从P98图示的DQ与DQS之间下降沿tDS是VIL(ac) max至VIH(dc) min之间的这段时间/ x0 N( g+ Y7 c% p) q8 @/ ?
查P74页Table 20 — Input DC logic level与Table 21 — Input AC logic level
+ V; V6 [- x: M) k- P f4 A
J6 p) j0 ^# |4 l1 F+ lVIH(dc)min=VREF + 0.125V
9 i# A- J1 T' @' b8 MVIL(dc)max=VREF - 0.125V
' h [ g/ m0 u* XVIH (ac)min=VREF + 0.250V (DDR2 400/533)8 D" c2 U2 K% y" E- r/ p
VIL (ac)max=VREF - 0.250V (DDR2 400/533)
3 z" e- b/ q' G
# X+ ~' b. `: G
' {& v0 @- u" p0 z( UΔTF=(VREF(dc) - VIL (ac)max)/(1 V/ns)=0.250V/(1 V/ns)=250ps1 e* m/ {* q) F" }
tDS=(VIH(dc)min-VIL (ac)max)/(1 V/ns)=(0.125V+0.25V)/(1 V/ns)=375ps2 o5 M7 i9 X, u2 f' J( z; L
. O5 u- j# P0 P0 a! l7 `按这个时序图里面算出的时间比查表算出的25ps大
1 @* r T) X- n0 {
5 k ~! d h0 |. f“注意到上面的两种不同DQS形式的差异：对于单端，即使在补偿后，仍然还是"base",也就是说，单端信号仍然是建立时$ z/ r( C/ e1 J" I+ r; F
4 C1 z: E2 N/ b7 q4 `间是参考dc，保持时间参考ac参考page97的table85，page98的table86.这个时候，我们需要加上DQ的边沿时间，将其换
, p8 L% l; }6 m! L( r$ T3 L5 f: t8 ]/ v7 k8 y
算到Vref的电压点。”9 s6 X4 W; g; ?; Z: R. F
9 \8 k$ \, @/ }" W& n其中“page97的table85，page98的table86”我在JESD79-2F没找到，是不是笔误？* X7 O1 d3 r; K# G! `# R
另外“我们需要加上DQ的边沿时间，将其换算到Vref的电压点。”这是加上了ΔTF或者ΔTR？5 Q% }# j8 Z. H- F* A% k) D: Y" w& D
# j3 p0 r7 g- K H
所以这块在理解上还是有一些困惑在里面
( Z+ O" w' `# }3 z: p, C
* o4 f" N4 K* I; q因为在差分的时候也同样存在ΔTF或者ΔTR |
|
/1 
发表于 2012-5-21 19:09
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2013-9-26 12:49
楼主