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[仿真讨论] DDR2_JESD79-2F:片外校准ODC的理解问题

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    发表于 2012-5-16 19:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mengzhuhao 于 2012-5-16 19:06 编辑
    8 U1 h# v5 z. L4 z, u) X, ^
    , X0 X% R/ I. o- D8 k8 E9 [; h6 C3 _DDR2_JESD79-2F:片外校准ODC的理解问题: w! l3 N/ v3 w5 q( h# V$ e; J* E
    9 ?7 _: W  J7 b0 l3 `
    在看《内存原理与时序》的时候读到OCD这块,下面这段文字理解的不是特别清楚:
    8 n2 f2 i5 e$ R8 ~1 O# `“OCD 的主要用意在于调整I/O 接口端的电压,来补偿上拉与下拉电阻值。目的是让DQS 与DQ 数据信号之间的偏差降低到最小。调校期间,分别测试DQS 高电平/DQ 高电平,与DQS 低电平/DQ 高电平时的同步情况,如果不满足要求,则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级(加一档或减一档),直到测试合格才退出OCD 操作。”# j- N/ c- X0 {$ E# k: k& L4 e1 N% x
    # ^! {, _( z- V2 q4 R1 G" v
    特别是“如果不满足要求,则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级(加一档或减一档),直到测试合格才退出OCD 操作。”这段文字,怎么个测试合格才是合格,是怎样评判的?这个片外校准的过程不是在上电初始化的过程EMRS(1)的时候进行操作就完成了吗?# e0 t& H# Q( I2 B! a2 k+ l

    * M2 q2 C5 K) F而且OCD的电阻校准过程是怎么去理解的,按照规范P36页给出的的资料信息在实际应用中是按照那些规则进行操作?- s% e0 i! d& F' z. D

    - k4 [. s' {3 M) E信息给出的四种校准模式:Drive(1)、Drive(0)、Adjust mode与OCD calibration default模式;这些在实际应用中是怎样理解使用的呢?
    $ u* Z8 B0 @) F" R2 l  g- ~  L
    6 ?) _1 `3 G/ a而且按照规范P35页提到的,进行ODC操作要使用突发BL=4,就是在ODC校准前先发一个MRS指令,然后满足了至少200个时钟周期后进行ODC校准(理解的就是发EMRS(1)指令了)
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