通信电源MOS管选择，FHL170N1F4A场效应管常用于通信电源电路

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  u3 c" A3 b0 j( x全球通信已经迈入5G时代，对于通信电源的研发生产厂家，考虑如何在市场上面获得竞争优势？选择优质，可替代FDBL86066型号参数的国产化mos管是非常重要的。
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在半导体行业来看，通信电源能有什么国产优质MOS管使用呢？除常见可使用FDBL86066参数型号。飞虹电子告诉您，选对的MOS管代换FDBL86066参数型号用于通信电源电路能提升您产品的稳定性、可靠性等问题。
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为何？因为FHL170N1F4A型号场效应管具备以下特点：

7 ^  x. U) h& b# D1、低导通内阻：支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
2、100% EAS测试
3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
0 `/ Z5 \# B$ J) n* X( ~9 Y4 Z% s4、100% Rg测试
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。

, A1 s/ [1 i% B1 m2 v/ U# @6 d  R从上述特点可知，这一款工业级的172A、100V电流、电压的FHL170N1F4A场效应管型号参数是很适合使用在通信电源的电路。
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3 J9 D9 z) [4 l4 o当然，在应用中，我们电源研发工程师一定要了解这款优质FHL170N1F4A国产场效应管的详细参数：其具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 4.0mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =3.2mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

& ?- a8 I  ], z3 A2 ZFHL170N1F4A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点。

这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）、静态导通电阻（typ）：3.2mΩ、反向传输电容：33pF。
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回归上述问题，如何在竞争激烈的通信电源市场获得竞争优势？核心在于寻求优质的FHL170N1F4A场效应管代换FDBL86066参数型号用于通信电源的电路。

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支持国产