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钽电容瞬间电流大影响

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发表于 2023-6-17 09:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电池的mos反接电路加了几个大的钽电容,发现装电池时,电池经过mos电路后给钽电容充电,会有个瞬间大电流,远大于钽电容的纹波电流,这种情况会导致钽电容短路吗0 j0 F  }4 }* Z3 b& D" x

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2#
发表于 2023-6-17 11:50 | 只看该作者
电容在充电瞬间是短路状态,随着电容上电压增加,电容的容抗会随之增加

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3#
发表于 2023-6-17 14:10 | 只看该作者
大电流是电容充电导致的,钽电容短路通常是过压导致的。如果担心安全问题,建议你使用陶瓷电容。如果想抑制这个脉冲电流可以适当控制mos管的Vgs电压上升速度,降低MOS管作为开关打开的速度

点评

现在测试mos管后端 钽电容上面的瞬间电压基本上就是电池的电压,在4.2V左右,不超过钽电容的额定电压6.3V;现在有出来一台钽电容击穿短路的,现在还是倾向于装上电池瞬间浪涌电流导致的,但后面我们自己做测试,用四  详情 回复 发表于 2023-6-19 10:12

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4#
 楼主| 发表于 2023-6-19 10:12 | 只看该作者
hshdjfkdkaka 发表于 2023-6-17 14:10( X6 d* ?+ z* s- o1 [' W
大电流是电容充电导致的,钽电容短路通常是过压导致的。如果担心安全问题,建议你使用陶瓷电容。如果想抑制 ...
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现在测试mos管后端 钽电容上面的瞬间电压基本上就是电池的电压,在4.2V左右,不超过钽电容的额定电压6.3V;现在有出来一台钽电容击穿短路的,现在还是倾向于装上电池瞬间浪涌电流导致的,但后面我们自己做测试,用四五块电池,10个板子,做了上千次,也没有复现;mos电路主要是做反接,体二极管朝向钽电容的,加RC延时没有效果,必须在mos管后面再加个mos管
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点评

看不到具体电路不好评估,但理论上RC延时肯定是可以有效的,尤其是对于上电脉冲电流。不过上电脉冲电流抑制的方法很多,具体方案还要看具体设计才行  详情 回复 发表于 2023-6-21 15:17

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发表于 2023-6-21 15:17 | 只看该作者
xmchen 发表于 2023-6-19 10:12
3 ~1 \# U9 A6 {. U1 W& |/ x现在测试mos管后端 钽电容上面的瞬间电压基本上就是电池的电压,在4.2V左右,不超过钽电容的额定电压6.3V ...
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看不到具体电路不好评估,但理论上RC延时肯定是可以有效的,尤其是对于上电脉冲电流。不过上电脉冲电流抑制的方法很多,具体方案还要看具体设计才行
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点评

问题找到了,给钽电容有关,原来推测的浪涌电流大,导致钽电容毁坏,后面给技术支持沟通,还是比钽电容本身能承受的浪涌电流小很多,后面测试发现,好的板子测试很多次也不能复现,有问题的板子基本上都是第一次上电  详情 回复 发表于 2023-6-25 15:53

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6#
发表于 2023-6-21 17:50 | 只看该作者
主要是与电容的ESR相关,由于钽电容的等效电阻较小,因此充电瞬间就相当于短路,产生很大的浪涌电流。如果超过MOS的最大峰值电流,MOS就被击穿。楼上说控制Vgs是可以的,就是通过RC电路延时,延缓Vgs电压的上升速度,进而延缓MOS管导通速度,从而抑制了输入浪涌电流

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7#
 楼主| 发表于 2023-6-25 15:53 | 只看该作者
hshdjfkdkaka 发表于 2023-6-21 15:17
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4 @' t9 Z- @: N6 U- c问题找到了,给钽电容有关,原来推测的浪涌电流大,导致钽电容毁坏,后面给技术支持沟通,还是比钽电容本身能承受的浪涌电流小很多,后面测试发现,好的板子测试很多次也不能复现,有问题的板子基本上都是第一次上电就击穿,怀疑钽电容本身有问题,库里有几年前买的料,后面推测很大概率还是长时间存放吸潮,吸潮钽电容回流焊之后,内部水汽急剧膨胀,造成损伤,导致抗浪涌能力下降,所以基本上第一次上电就出问题,后面再贴一批23年买的钽电容再确定一下
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点评

开封后长时间放置的电子料,一般上机前都是要进行烘烤的,不只是芯片类,被动器件也是要的。后面可以跟负责生产工艺的同事聊一下,加强一下管控  详情 回复 发表于 2023-7-3 14:21

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发表于 2023-7-3 14:21 | 只看该作者
xmchen 发表于 2023-6-25 15:53
1 Q& U7 R7 T/ s2 X! N问题找到了,给钽电容有关,原来推测的浪涌电流大,导致钽电容毁坏,后面给技术支持沟通,还是比钽电容本 ...
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开封后长时间放置的电子料,一般上机前都是要进行烘烤的,不只是芯片类,被动器件也是要的。后面可以跟负责生产工艺的同事聊一下,加强一下管控/ b6 d' Y0 a" D7 w% Y
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