TA的每日心情 | 擦汗 2020-1-14 15:59 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
Xuxingfu 发表于 2012-4-28 09:04 ![]()
( l! K7 e: O) ^7 V/ C! m" p3 n对于微带电路,波端口的下方边缘必须与GND重合。# G V4 M' @2 p( |2 g/ K
假设微带宽度W, 介质厚度H, 则波端口高度一般6~10H. 当W> ...
2 |% H/ a" j, w! \5 _3 e应该不是重合,是接触GND的上边沿6 r/ Y+ D. k. c* U& }
5 R9 l) L4 V5 n这个在实际仿真中宽度与高度的设置差异还是很大的
8 l$ U0 m6 k- q
) N9 v9 W8 @3 m5 R9 r例如你试试仿真
" y' b) p6 \- X1 d0 o/ {0 ?! P10mil线宽,2mil厚,介质从10-60mil 步进10mil8 `+ Y6 v* Y, L- [, @
* U) _+ J, l5 W' k如果设置的不太合理,得出的结果跟polar差异也不小7 m, `1 v1 Y, B' W, b
( t, `9 E5 L! G
目前没有太好的标尺还判定
& d% U1 a9 ?1 K3 H; |! I' h& J7 V) D# H( v! K
只能先依据polar算出的阻抗值,参数扫描波端口的高度于宽度,逼近polar算出值时的尺寸 |
|