TA的每日心情 | 开心 2023-6-2 15:15 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指mosfet的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以mosfet的漏极为输出的电路,而开集电路一般也就认为是集电极为输出的电路。
+ d0 }0 ?" |6 F. f. y' Q1 |
6 K9 d. f/ {' o4 B- d- Q6 i" M) o& {2 l/ G
一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻或者下拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示:6 m. i, x% ^" c `$ n( y3 k* C5 ~3 V% d' c2 R
+ P, x' a7 k P3 `* J" C- {4 ^* a8 q- E' @% g$ s+ |" c4 U% @0 J
9 p) C3 g# P9 C- {3 y2 g5 V6 T+ ^2 O( B3 _- f( W# T
: N' P5 C8 c4 O" @; E" Z. w* k
3 y2 b2 R* R8 H5 K. I% ?) m/ J$ G3 H: @% q" G' Q9 j2 I' y, ?( _/ I
组成开漏形式的电路有以下几个特点:8 O6 y2 L. b# x9 f ^* a Y* \
, k8 Q+ [" @0 j3 P+ v0 N+ E6 C0 k# V' @. H4 S9 H/ o7 {3 ]9 y% m* d! }. v& }4 U# C
1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。8 k- m1 q5 ^' _6 \6 I: A7 C' G+ p( ~* n4 u! `0 ~8 Z+ w
, l4 x- \6 D8 y( t2 O( u7 L# F- q# m8 w
& z: ^# F3 m4 }, r" S+ j' r* t" b. C2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
7 M G( k9 V1 u" i% T( M/ b2 f6 X7 v( ~4 ?$ O
& N; o' h1 h) `4 L& U. v
! m$ ?9 l B, L* N$ M, `3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。: w) o1 T U7 [
S9 \- w2 K: O3 k- ?+ [, {# s* J
) V$ {, d6 }8 A: s8 z4 z
# c- J! ?' D4 \' N1 ^5 v4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。
$ G! w( P+ n6 ~& F8 S" G# f) C0 Z0 v# ]+ }! V6 ~( O
# ]6 n3 m f2 e. x& r9 j
% L# y" S' X' e4 V2 X! ]7 Q5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。* t5 c3 O1 I/ _5 A1 j
. v4 _- `6 K- _& @9 F0 N5 J7 k# u% ^. n! q% y/ d# `# \+ q3 S
$ n7 Z) ~3 E/ W& L6 w. h M2 B
$ L5 S) `9 [$ ]# ~. }; V" @3 o$ }
9 i% X% h4 M8 _* K! @$ `" U% ^' |9 w p E2 i. F0 r
5 H$ T5 |+ |' |# c! d/ O0 Q0 P( J7 z7 k; N6 ?
" E" B$ P( Q5 h# b/ A9 F; ]5 A& E1 l9 l8 d" _" u
2 h2 w: X% S6 x/ q# F" l& ~" b/ H' f9 a; x, i) D9 _: j! \; L
应用中需注意:
2 c' h4 ?6 z( O: @( }! z) A, x7 c: H" X( @* c; \" N1 @5 r0 {5 Y
1. 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本。如图3。- i; O2 L( u6 w. D: m, G1 y
2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
/ c2 u7 O5 S: {# y, a8 b8 j6 l1 m4 J" P5 d5 c& T4 Z+ ?1 Q2 P9 a- N, {/ i U
# u4 r8 x; P: ]# b$ ^
- [2 f' L/ m' _+ ~0 `
. b: X: ^* _% g5 M; r' V2 K( F2 G+ T8 K2 o( h4 J! Q9 {' b
组成开漏形式的电路有以下几个特点:( Q1 }) F: U- k3 p, W; T' v# U
- {) w% P K. C/ L* N
5 \4 V, `+ B# ~% y9 D$ L/ {: U+ ]0 V+ ]0 I5 T, W6 {
1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。0 r- C* i! I, b
% V% u( a2 i' r7 ^+ f/ X6 M7 d8 s9 f% n' u5 X8 n) R) O/ r" r
$ b9 K8 H: I+ m3 }" }4 \8 u1 f/ l
2 a! `% P E* r: g2 Z5 j! z- e; t' |/ {+ T5 ^+ }
2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。5 F. Y9 b* X' k6 ]
# X4 b5 U" e! I- H6 u4 i% e1 E# v( W
% m1 U( a* w" }7 j& P! H6 W
3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。6 K5 [ @5 K+ q) I# ?% N9 V' I' |
, n9 H8 m4 C/ U' C5 d1 L0 U. S* m" |8 p5 O6 ~# r) ?, y' {
% ] F7 T* G- M" p4 L* c* G
7 y9 j$ {6 A8 g- i$ f$ h" C3 a0 Z6 d a% ?2 @9 }, |" D/ \; c" Q
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。
# ~% o( |( Y8 S& H$ o3 V
/ I$ @: m: J7 U6 O }: l* W8 b( c+ k# p# f
9 h' G( |% d, ~9 E r( o5 P
y# }7 e; J0 g& z }5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。 应用中需注意: 1. 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开 集电路来驱动它,即方便又节省成本。如图3。 2. 上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。7 u/ N. Q; A! U/ f3 y7 W5 q3 g& V- M$ i, z
|
|