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[仿真讨论] 参考地是不是比参考电源更好?

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1#
发表于 2012-4-17 17:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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参考电源的话如果电源和地之间去耦做的不好是不是对信号有影响

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2#
发表于 2012-4-17 17:53 | 只看该作者
这个一般情况是这样的,但有些信号线有个内部参考电源的,那么这些信号就以这个电源平面更好一些!

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3#
 楼主| 发表于 2012-4-17 17:58 | 只看该作者
明白了。谢谢

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4#
发表于 2012-4-18 08:39 | 只看该作者
dzwinner 发表于 2012-4-17 17:53 - N# M+ a) n! |( r1 p
这个一般情况是这样的,但有些信号线有个内部参考电源的,那么这些信号就以这个电源平面更好一些!

9 u; W$ G* b6 r0 E$ ?) x: a没有听说过。还望指教。

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5#
发表于 2012-4-19 12:26 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2012-4-18 08:39 - ~5 N9 @6 y: P4 r2 ?, U" h
没有听说过。还望指教。

9 K6 p" v9 Q! r- E% u* d5 U昨天看书, 说AD电路电流返回路径为电流层。 参考平面主要考虑的是返回路径,如果返回路径是电源层,那么导线靠近电源层效果就比较好。如果返回路径是地, 那么传输线靠近地平面就比较好。

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6#
发表于 2012-4-19 13:29 | 只看该作者
李明 发表于 2012-4-19 12:26 1 S; Y2 Y# \- h6 g0 T
昨天看书, 说AD电路电流返回路径为电流层。 参考平面主要考虑的是返回路径,如果返回路径是电源层,那么 ...

. ]( A6 y) M. f/ Z这个好像不能说明问题呀。

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7#
发表于 2012-4-25 16:58 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2012-4-19 13:29
+ i' ]  S/ G7 V这个好像不能说明问题呀。
6 v: |4 |: \$ F+ s
那天想到这个问题,呵呵突然想到:假设信号为0V,这样信号走的就是电源层。高中还是大学来着不是说有个参考电压么,如果参考电压是信号电压,那么电源上走的就是信号层。
0 `  D7 [% v- w: w电源层和地层在高频时阻抗很低。

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eeicciee + 5 想法很新颖,但是我没有理解,呵呵我呆了

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8#
发表于 2012-4-25 17:24 | 只看该作者
这个问题我的理解:参考地和参考电源效果应该是一样的,但这个参考的电源必须是信号处理电路的电源,电源稳定性要高、纹波要小(小到和地一样)!!

点评

参考地和参考电源有本质的区别,通常参考地是最理想的  发表于 2013-4-28 12:06

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9#
发表于 2012-4-25 17:49 | 只看该作者
说一下我的理解吧。地或电源在做参考层的时候其实没什么区别,不能认为哪个更好一点。具体信号参考哪个还要从信号在芯片中发出的时候参考的是地还是电源。如果信号在芯片内部参考的是电源, 那么在PCB上还参考这个电源好了。 如果参考其它的电源或地就会出现跨moat 这种情况。 比如说DDR中的ADD信号,就是这种情况。 ADD信号在芯片中和DIMM卡上参考VDDQ, 那么在PCB上也要参考VDDQ。如果不可避免出现跨moat 这种情况,那么就在该信号旁边加个电容, 一般0.1uf 就可以了。一般3根信号可以共用一个电容。

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eeicciee + 5 很给力!

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10#
发表于 2012-4-25 21:31 | 只看该作者
qiangqssong 发表于 2012-4-25 17:24 ' t5 E' k* f# D! c  k
这个问题我的理解:参考地和参考电源效果应该是一样的,但这个参考的电源必须是信号处理电路的电源,电源稳 ...
$ }% U" p% v# U7 J0 w3 U
有理有理。参考的电源层最好是给信号提供能量的电源所在的层。学习啦谢谢!!!

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11#
发表于 2012-4-25 21:36 | 只看该作者
yejialu 发表于 2012-4-25 17:49 * \4 w% H  e3 u
说一下我的理解吧。地或电源在做参考层的时候其实没什么区别,不能认为哪个更好一点。具体信号参考哪个还要 ...

7 z3 {7 C) B8 A' C, h“具体信号参考哪个还要从信号在芯片中发出的时候参考的是地还是电源”。 这个和八楼说的很是相似,看来接近真相了。哈/ E/ |9 n- R, y) f3 E" o+ P
* s: Z8 x+ K( r; y1 \" W( G6 U
“如果不可避免出现跨moat 这种情况,那么就在该信号旁边加个电容, 一般0.1uf 就可以了。一般3根信号可以共用一个电容。”  加电容?不是加磁珠的么?说实话没见过处理跨分割的PCB layout,不知你可否上传个图片呀?谢谢

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12#
发表于 2012-4-26 09:14 | 只看该作者
以后上传图片。具体的说法如下:If crossing a plane split is completely unavoidable, proper placement of stitching caps# X3 [3 q6 |5 N! j. x/ k$ U
can minimize the adverse effects of EMI and signal quality performance caused by4 r$ I% z/ S8 A# g& q4 v* W$ u
crossing the split. Stitching capacitors are small-valued capacitors (1 μF or lower in
7 F6 D1 v* A; @value) that bridge voltage plane splits close to where high-speed signals or clocks cross5 w5 D/ _  K6 Y: L# D
the plane split. The capacitor ends should tie to each plane separated by the split. They+ O- R8 R" ~  g" Y/ T
are also used to bridge (or bypass) power and ground planes close to where a highspeed
% Y) m3 t$ {- Zsignal changes layers. As an example of bridging plane splits, a plane split that
) T2 x$ U  D- g* K/ W/ D7 Cseparates V5REF and Vcc3.3 planes should have a stitching cap placed near any highspeed
2 x0 ]* l+ |3 u8 csignal crossing. One side of the cap should tie to V5REF and the other side
/ w- \" q. d2 C& ]1 W% Dshould tie to Vcc3.3. Stitching caps provide a high frequency current return path across6 ~# _! B2 D+ S; Q6 T% M5 f
plane splits. They minimize the impedance discontinuity and current loop area that
% K0 _, P5 {! D: r$ I( ~# ]crossing a plane split creates.3 `) s+ d, ]: A' j% V/ E; [
以上是对USB3.0跨moat 的处理, 希望帮到大家

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13#
发表于 2012-4-26 19:10 | 只看该作者
yejialu 发表于 2012-4-26 09:14 ) J. ~% u. J# K, a
以后上传图片。具体的说法如下:If crossing a plane split is completely unavoidable, proper placement  ...

; M/ b; S# d( r8 Z' M* K3 {; y& |0 b, _0 t哦,理解了。用电容连接两个电源平面。有没有原文文档呀。老大

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14#
发表于 2012-4-27 10:50 | 只看该作者
原文档不方便发呀,涉密呀。

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15#
发表于 2012-4-27 10:51 | 只看该作者
原文档不方便发呀,涉密呀。
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