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三极管 vs MOS管

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发表于 2023-5-30 15:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.! ~7 i! ~& |$ C
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2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。
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3、功耗问题:三极管损耗大。" Y# D  R4 t% p  {. @
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4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 + V  ^! h# e6 w8 w; D& l  {
4 v3 B( ^! A+ U$ h1 m9 _4 z5 @% U( C. d% n
) R# c" X0 @: s$ W1 f1 {
0 G& v; J$ P) [. q: N三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。0 I0 f9 C" O7 ?# f) n% }3 a' I4 O/ ^7 s
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MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。+ \4 k( y4 B& s, O6 m$ k1 w) P4 ~. j) x1 U9 j3 p
, E0 A" L1 H& ^7 M
MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。5 p( x4 b* d* [& \  f/ x- w" h
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9 u+ h2 f& j# m- T# m# d/ E" v二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源漏间导通电阻)。4 V. A% T' p2 Y+ h/ f6 @2 c' B% R+ \" d# C: l0 }
9 r5 B& k- ?& f+ A, r) a+ l
4 ]8 ^2 R5 P$ C* o! dMOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。
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三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。6 a1 }- y2 }% N; `& H/ f1 _4 a% p/ |! n9 y, H' b% K0 p

- U2 @" z' K' }1 S/ e# \一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。/ q6 P6 w( [  d/ a8 f
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实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。
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(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。' w2 r  g& d. w7 c

( \: G7 c4 L+ ?& V: b6 h(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。+ }2 a6 \3 }  w1 K
2 D+ ]) O9 v3 @% n( l# v; A
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。% P) v4 A# X3 }, \% x) K& ^, N, ~  I: X" e! U0 H3 |

5 V- Z( E5 s5 }* H2 t' ~5 ~9 e. T(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
  B& p2 e9 Z6 L5 f- f' j0 L9 ]1 x% D3 |/ H2 y+ D- _, s
4 Y! H2 m& ~6 p+ W(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。1 s+ Q- Z# r- M* p4 R) a7 @% u0 h9 p7 [1 \. |2 G5 `
6 U& `1 c8 {  M
7 N) n4 Y5 D$ S$ @2 W7 z(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。! D  Q! o. t) b2 Z4 A2 K" z2 d- ]/ Z" y
, @- @: ]) h. {6 Z. b& M; d+ D( T" u" N! g
其他比较:8 W) x. a* _1 Y: C9 K
( ]. @4 L7 e/ r/ \' `  m* u  j/ z; E% C1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
' ^/ z; `! z5 b0 y% Q) c+ X+ D2 H场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种 载流子# ^9 `8 j2 ~  R! j5 C7 u
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2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流。  0 x5 m$ l  }* m/ q6 p! e' \  K& F

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场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流。
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3、三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大。% Q3 K* a+ G  z; ^9 B
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3 d. {, w: n+ l# N
  c' z. j* {" J. x8 ]- U6 D# `4、有些场效应管源极和漏极可以互换,三极管集电极和发射极不可以互换。% c" E! v; T1 e2 T) N
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5、场效应管的频率特性不如三极管。; \- N9 s1 i* M6 x3 @: [0 Z" s9 W
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6、场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。1 P* `; T- B! A) @  m, P1 a5 ~% Q4 {# H. U  U( r
( N& p& z" M: B0 I
$ X8 G# @% `4 D6 I/ l- n2 n5 E) Z0 j$ M
7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适。4 k  v$ f: l+ ^( I
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