欢迎讨论：SIWAVE与HFSS微带线仿真对比！

mengzhuhao

欢迎讨论：siwave与HFSS微带线仿真对比！
  D" n$ h/ ~5 Z* |3 {& u
& q! Q& d0 c8 \* }$ E! Q2 G仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理
8 u' V5 _: Y: }0 g$ y8 A  y
( u+ ?) p1 P$ B5 T7 r8 b微带线宽10mil
微带线厚2mil
' W0 I! X/ }) m+ [, }  ?9 h微带长度5010mil
中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）
2 Q0 v5 b' J7 r8 _参考面厚2mil


TDR仿真设置：
% ~' k) u1 M% B8 M6 e! U: hrise time：100ps；della time：10ps

: c+ r2 h7 a2 y* L8 P在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
- `$ _( o# h  ?$ T8 b  R

--------------------------------
% E& U2 x# N! U8 S9 m/ R( @# Y
在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）
使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：
, k. v# G; j8 N& Z' O  ksheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
( O) g  o- ?' ?; P# w2 g2 `8 P
+ v& L  s, @* W$ B' _


0 t/ I) N9 h/ B. X8 u# s, x" u: u+ r

  S9 E+ ^6 V  N/ ~/ r问题：
（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
8 z: J& x: S' ]" F1 N: E3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？

6 q0 E7 p" r! k9 w1 `* p& z5 j（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果

$ y! @$ @( f; u0 F5 ?" X（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？
' E2 l/ C1 S1 u) F
) y& x, W5 {3 S0 h（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异
: b& A. ^7 }6 n' X8 O) W( W
# S/ v9 L. A* c
" Z( h' f% J; @- d- a
/ m/ I$ F6 i1 [  c

7 }- t; T6 w3 W' o; w0 _6 v

mengzhuhao

昨天画的确实有点问题，今天查了一遍官方给出的波端口sheet尺寸比例设置要求
* K% N" z3 M$ f$ E  N- \3 _更正了绘制sheet的一个错误：线宽大于等于介质厚度时使用10w宽度
  
. V, ]* T! Q! o# a& @线长10mil，空气腔体尺寸紧贴波端口sheet
  
6 P( {- q  M  E驱动模式使用积分线：65.7136
4 A$ g) J! B# `; d( B9 c; ]终端驱动：65.2749
  
与使用2.5D工具算出的结果接近
; I% B4 _. b% I2 l! ]  
不过目前针对连续的理想传输线，貌似这样可以花比较短的时间即可得出任意长度的S参数
5 u$ g/ b) r& Y; m6 p4 f  
对于非理想传输线，如果非得建立一个比较长的结构体的话，边界条件应该如何设置比较好？
( Q8 U* k2 c& @( C是不是必须考虑四分之一波长的反射问题？
像0-10GHZ全波宽带仿真，如果设置与端口距离四分之一波长 这个腔体貌似也会比较大
( x7 s) v7 P+ \在实际的工程应用中应该如何处理类似这样的仿真呢？
3 h1 Y% G/ }) N# z" _0 T% x
/ H  i9 y1 h) o1 }' Y8 x" p5 U' l0 \
. y8 H8 ]# z7 a  C

mengzhuhao

不过目前发现，按照官方给的那个尺寸关系，在介质厚度比较大的时候得出的结果貌似有点问题

官方给出的是：
) a! `. A7 o+ G4 {w大于等于h的时候，波端口的sheet宽为10w，高为6-10h
5 w# C4 m! {2 x4 vw小于h的时候，波端口的sheet宽为5w，高为6-10h

希望有经验的朋友说说这个方面在设置上有哪些讲究与注意事项
% q# V& y3 ]4 I/ K

mengzhuhao

mengzhuhao 发表于 2012-4-18 11:58
不过目前发现，按照官方给的那个尺寸关系，在介质厚度比较大的时候得出的结果貌似有点问题
! I/ b! W/ S( a; ?4 d* g
3 t/ h  Y# L# @  f& D官方给出的是 ...

现在对这个资料给出的结构关系比较质疑
+ O8 r6 s! U1 k2 i1 ]8 n例如假设介质厚度为100mil，这个时候如果宽度按5w算感觉得出的结果是错的
实际我调整后，到了50w，高度到4h
' I4 ]2 L. c+ Y
1 o1 _. z  C- \" |1 ?, H7 `我是观察了波端口的电场分布，尽量然电场分布均包含在这个范围内
得出的结果就与polar算的结果类似（polar算的结果是146.5）

% d: }+ [& f: m' J/ \hfss算出的147.46
. ^& B1 V* I$ Y+ y+ W; {" B
: B6 `+ i* n# f' z& h3 L现在的感觉用hfss算不同结构尺寸的传输线阻抗确实比较麻烦一些
不知道是否有比较好的方法
7 A# G  C$ _& P: p8 `不对的地方请指正


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