TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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欢迎讨论：siwave与HFSS微带线仿真对比！5 ~% J2 ~ |( Q/ n0 i+ v4 C
% t6 p/ l0 X, s0 T e4 s; X+ h0 V
仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理
, F9 {2 a% s' X$ E# j: L0 ~( C) r# ]1 T. ~, a/ [: g
微带线宽10mil/ G- e6 O/ r. I: K' p
微带线厚2mil
- k, |& x! F7 V$ S微带长度5010mil
' M% S- U( ]) i2 d" b中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）
2 j4 V: y9 U5 k$ T, i参考面厚2mil; W2 v/ @ Y9 @4 f5 S: W T! N0 k
+ B4 `1 s% A0 ?: b4 L
0 N) [' ~& E1 d9 g5 x$ [TDR仿真设置：- d* m6 G) [8 v' c" ]* B
rise time：100ps；della time：10ps9 `2 m; b$ ?7 p: K" u- u8 F+ K
5 d8 r$ X; B* f7 j7 z. O- n在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面
, f! c) h! s9 V/ Q/ F然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
, a6 G' ]( o& r2 R+ S3 q `* ?; m( k" h/ \( R/ S4 @1 R
* s2 e a: y. y+ a--------------------------------9 i5 N0 r* o# v& J, o6 H5 D
+ _5 I* g% j9 h+ q) R/ t4 i在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）3 r! v' f$ V% s
使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：7 X) Z0 a) M6 \) A
sheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系
9 l) O, c- Z; |. V7 @ D然后得出的S参数与TDR仿真结果如下. F/ q* i0 j0 x+ t8 V3 r8 O8 Y
: S E( X& K0 T( |9 Y) Y) }' p) e$ e+ ~3 @ D0 [ V
8 U9 b8 c5 Z9 T. v- E6 L' r
' N, {# ?9 t, l
7 m" ~7 Z8 C& J4 S' q8 P( @; F
4 E" o. i* t' C) t1 R问题：8 I5 P3 C( ^0 H# B$ p1 O
（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
$ j& L5 c0 ?2 ^3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？! V. C! B" n4 Y' h2 H2 @4 R
, N( N/ t: i5 [
（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果
, H9 l2 P c! I9 O
8 z/ r) I+ O. r+ D4 J（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？
, ~" R, n0 q6 I( Q% ^% B
- p' x' J1 J Z（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异! p) `$ u0 Q. S
& M+ M# h& x+ ?4 Y; |+ L" a& E" `
. o2 `! g% b+ c' J, z. S7 c
& z$ G- f$ h# t: l9 O
# Q4 P( |( Q7 ~5 J+ I# g
# R$ c- l$ e- L
2 H7 ?; Z2 h/ _# }9 c; w. D
# _ n; k6 Y$ V. S8 J; D/ m% A
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发表于 2012-4-16 22:12
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