HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？

mengzhuhao

HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？

: @, Z( M6 u0 l+ g% B9 p

因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
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在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小



3 Y3 d6 P) R2 V- Z6 U8 {
: r' Z/ }5 @1 Z0 A) P' z
: g* x' J: Q+ w. u6 [) y5 ]8 g请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的

* n& ^2 t/ V  E# N# g' @3 }

9 X5 E" b; Z: ?因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界
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) M0 F. R; [* d7 R$ U. j+ M6 F
另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
$ @! a. F- }. E, c0 k- C) q: o
它跟辐射边界有什么区别么？
2 G0 r$ p; p* g. q5 A! Q+ G


% {: p8 r5 C# Q希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑

mengzhuhao

“wave port是以平面能量來計算，lump port是以V/I來計算，理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”

有介绍是这么说的，但如果存在差异问题可能在哪里呢？

mengzhuhao

mengzhuhao 发表于 2012-4-11 18:41
2 K: O: e9 e! {, V" W- S“wave port是以平面能量來計算，lump port是以V/I來計算，理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。 ...

) l* H# K0 d' _( y  L3 {! h
" N+ m( \) Z# R3 O' \% S! S. A使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界；不知这样的设置道理何在？
) K0 x, H) Y- g! H而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
实感比较困惑

附件是hfss13的工程

LUMPER_WAVE.rar (106.04 KB, 下载次数: 22)

2012-4-11 19:07 上传

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