TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？( |% u) C y# ?# l8 p. q8 ~3 N# G+ z
# @8 ]: W1 W) k! D. |4 f& Y- V
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- e( F- X# u( o8 _+ Y因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体
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) d& z" J% E: D) R' `在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
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9 K' c+ G% z/ G- ^# ?: b0 _
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请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的/ x2 K( i ]6 {4 H+ D1 E+ @+ ^1 n
, H8 E& x6 V* Q
9 J# Q8 C, ?4 ?. N
, r/ M7 a, o- K
因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界8 ?- L B# i* G4 r% ~: N. _: p
1 o3 [7 D5 T. ~8 Q4 d/ F# F. B9 m: C- w# {; J {( n' O0 A) z$ F' W0 S$ w1 R
" ~8 t- P) X& Z, g: g( _. s6 d
另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面& o# U" Y8 w1 u7 t* X) m* q# J
1 m. R( ?5 U) o' `" Z1 z
它跟辐射边界有什么区别么？
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( O& e C1 u- s/ j! ^+ ^- h, f8 @2 ]; {# ]+ V! s( Y
; ?" f* n7 ^+ I$ ]希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑/ W; M- a8 k" s& w' T5 E
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发表于 2012-4-11 08:39
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