|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆,PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。0 c6 S# u7 }) [0 P6 O5 \- M
* y8 ^: I3 x! G: q
答:( f4 O3 Q, Z1 H" p5 h( ]6 n
特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。. `. Y3 d% m7 t, w' t
特征阻抗
7 `; s2 W" R5 s- y2 m是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。+ _1 y& h6 M0 A6 H% g' a" M
特征阻抗:又称“特性阻抗”,它不是直流电阻,属于长线传输中的概念。在高频范围内,信号传输过程中,信号沿到达的地方,信号线和参考平面(电源或地平面)间由于电场的建立,会产生一个瞬间电流,如果传输线是各向同性的,那么只要信号在传输,就始终存在一个电流I,而如果信号的输出电平为V,在信号传输过程中,传输线就会等效成一个电阻,大小为V/I,把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中,如果传输路径上的特性阻抗发生变化,信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有:介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。* ~' N, Z9 {, w! b d8 h. _. G
可以参考一下百度文库的这篇文章,写的很好: http://url.cn/1Y5XJr1 L* y6 X7 R& _2 e$ |
+ H& P3 s3 G3 S7 EPDN阻抗
Q9 N* P. v( L, ~, N7 W- X是电源地之间在高频回路下的阻抗值,通常一个电源系统中,我们会有一个设计目标,一般我们称之为目标阻抗(电源系统)
3 T6 e7 P) K+ Z" z; ?简单的公式为:1 j& e& ]% `: o3 ]2 G4 E6 R. D3 B$ }
' c; O* v- L0 S& g. j2 u
& M; Z4 x+ j/ @5 F+ |: m) i) f当然在更高频下,目标阻抗会有变化。设计时,我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下,特别是在我们的工作频点,系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗,一般可以通过板卡上放置电容来实现。, [9 a" K* v" F2 [
0 D+ n6 A7 @- g4 p$ c- ]8 _PDN阻抗通常应该是毫欧姆级别,电流越大,我们的PDN阻抗应该越小。" a0 ?) {, i$ @ Y) d! I6 J
6 P1 D @9 r( z; Z8 C h通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别
# }1 a$ E) Q H/ Y
: w9 B7 V" G. L7 i2 [# x+ K3 Z! B
" C) U; S- N$ q" p6 ?1 I$ u4 m, E' p7 P
& C' H3 X% ?9 ?2 L3 U# J
$ r% M& {8 x6 a) }
- i" u& n' P- d. c5 k$ R
4 C. ]7 m( b. q/ B/ ` |
评分
-
查看全部评分
|