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半导体产业作为一个起源于国外的技术，很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历，或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点，那就导致很多的英文术语被翻译为中文之后，很多人不能对照得上，或者不知道怎么翻译。在这里我们整理一些常用的半导体术语的中英文版本，希望对大家有所帮助。如果当中有出错，请帮忙纠正，谢谢！9 v4 S) M0 X6 i& S' Y
: H% l# a& [% G% k. P/ t$ n B, y/ y6 Q" `" b
常用半导体中英对照表离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand SchaRFf and SchIoTt theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。' d2 _$ D" L/ }* h' a" n: I
0 E' s' r% E8 ?沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section
0 {) }; c+ z* ~- t0 W! {# V退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology. J' {& ~# ?$ a1 n! {0 r! ~
图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization% U! f0 T4 G9 l$ s/ J. F! S6 V/ l! t5 b$ j
掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resist4 `) i Y$ J3 l2 S+ R* P' m
X射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography
( V* H# m+ v4 X离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure* P" P. E; F& H, h' g
接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system
|% r9 P, k/ g9 ]' y显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma8 |6 h/ p) ]4 u2 n4 L6 Q
刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。等离子［体］刻蚀 plasma etching6 Z% |6 K4 n/ y/ i% d
# I& L- \# n' m" g9 g& x/ F* u钻蚀 undercutting剥离技术 lift-off technology，又称“浮脱工艺”。终点监测 endpoint monitoring金属化 metallization互连 interconnection多层金属化 multilevel metallization. r0 Q3 m4 @& G) K: m/ k" T$ C
" j' e: j+ o1 y' `; `: K电迁徙 electromigration回流 reflow磷硅玻璃 phosphorosilicate glass硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass钝化工艺 passivation technology多层介质钝化 multilayer dielectric passivation! k4 X7 c; F& T% L6 H
划片 scribing电子束切片 electron beam slicing烧结 sintering印压 indentation热压焊 thermocompression bonding热超声焊 thermosonic bonding& ]5 D! X7 v0 {# l; ^4 X0 O
! [- }4 j! p5 l9 E- F: Z冷焊 cold welding点焊 spot welding球焊 ball bonding楔焊 wedge bonding内引线焊接 inner lead bonding外引线焊接 outer lead bonding2 a5 q7 w, Z$ O! T
* S- p T$ g9 E梁式引线 beam lead装架工艺 mounting technology附着 adhesion封装 packaging金属封装 metallic packaging陶瓷封装 ceramic packaging/ D0 {( Q a. e* q) F0 F" _ C; j/ u2 t7 v; t
扁平封装 flat packaging塑封 plastic package玻璃封装 glass packaging微封装 micropackaging，又称“微组装”。0 E$ c6 F, [, a- y& M+ z% L4 z; t# Y& v; P3 F9 u' b3 A7 K$ f
管壳 package管芯 die引线键合 lead bonding引线框式键合 lead frame bonding带式自动键合 tape automated bonding, TAB8 o# [8 d4 r# Y% F4 d4 ?- |3 J: h
激光键合 laser bonding超声键合 ultrasonic bonding红外键合 infrared bonding" p2 `3 a, n( P6 J3 F8 G1 M& G3 x
微电子辞典大集合（按首字母顺序排序）
( @ ?, ]5 k7 M0 EA+ y" h% X2 j7 q! ]: b, _$ K9 j
4 D4 O1 S: o$ d; qAbrupt junction 突变结& Q& k- V* v2 E) _8 a5 }% ^& u
Accelerated testing 加速实验& N: i- w7 B1 M5 t
Acceptor 受主
8 K- z7 Z4 ]! |7 r$ M* u4 }Acceptor atom 受主原子: U) w. B |- ?- q; o: Q3 D% I1 N! n# T4 S
Accumulation 积累、堆积) y3 X3 a' r% ?( D- L% [! z2 j- h! W/ w1 `2 o* c
Accumulating contact 积累接触' _- ?. F& Y1 T7 _9 {( u$ W: d
0 C4 f! H/ q/ L: d9 ]Accumulation region 积累区1 W7 J, w! L [" J: M% B# Q, E
Accumulation layer 积累层- a8 f: p1 h. \8 i& l! j- j$ O5 v4 f
% V$ A% p3 m3 X& N5 c! r% C+ EActive region 有源区" ]- _/ @# b5 G3 I
Active component 有源元
4 l4 O2 W. _2 u. z5 ], DActive device 有源器件# s8 x! n! Z8 X$ y4 L* S8 ^
Activation 激活5 b* e% M6 c; H8 z; [+ |" c2 y1 v S( D" d; p$ L. a0 ]/ L
Activation energy 激活能+ v0 z$ A' ]! B; i1 }7 J$ d3 u1 G4 v" b- p0 O
Active region 有源（放大）区0 C! ]1 ]2 a2 r) T& z; H; W$ u5 \, B- _. @# b- G+ E
Admittance 导纳 e, K6 V) \) d9 N2 j8 V1 ^/ Q/ i. U6 ~/ \* `. w; U7 L
Allowed band 允带
7 F4 k$ @8 }7 mAlloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝: a0 I% O* ~# o2 I% o4 [
, A* w x- `' k* aAluminum – oxide 铝氧化物7 a9 ~: Y7 I3 L- q4 z
' Z! W! Y) K' wAluminum passivation 铝钝化
8 Y; Y0 o$ G( q! N2 A3 bAmbipolar 双极的+ r7 ^# z- u4 X
Ambient temperature 环境温度- ^8 I& T: ~' O5 `
* m5 |$ g. e8 x) R' o5 \Amorphous 无定形的，非晶体的- _" A" O+ T5 q6 l9 c" R* }
Amplifier 功放 扩音器 放大器9 o! y7 S# q+ h. }# B* }
, {* `- o* x6 K6 u! T+ s0 lAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 . H' Y7 a; X- P
. c* F( L) ]4 R, g) k( { M+ }" EAngstrom 埃Anneal 退火8 G) s9 a. K* _
Anisotropic 各向异性的) e- s* |2 `- d) J' O$ A7 m: w/ |2 s& W8 J; ?
Anode 阳极, g4 m! l( E* ]9 {* }
Arsenic (AS) 砷) O4 b" q9 P& D/ M8 S
Auger 俄歇% n& o& ?% j8 l" w$ g) w5 r$ L, u
Auger process 俄歇过程. `+ i( l5 _, P* z$ P: o' q! o- \1 A. j. g3 G( M
Avalanche 雪崩9 o" | E6 ~5 |3 f
Avalanche breakdown 雪崩击穿" q: u6 E8 h" ~& l/ g( u
Avalanche excitation雪崩激发B) v, W* a7 m, y- s! d% k
Background carrier 本底载流子* X$ K# w" O) Y6 W& c Z U
Background doping 本底掺杂. s9 Y/ o# R" a9 u
4 Y9 f2 U- S+ J6 rBackward 反向9 G) K7 v3 @2 H+ K+ O
Backward bias 反向偏置# A. w. C! w9 D; P1 B2 g; O5 ?3 i' J$ L: r0 {: ]; R
Ballasting resistor 整流电阻, s! ^7 J3 y1 F/ l% z9 J5 O) G
Ball bond 球形键合" c/ o, l1 ~2 `/ @* b& n# L2 y
Band 能带: M. ?# f4 b1 n% l+ g2 l2 e
: U7 i3 H) V; U5 E9 pBand gap 能带间隙" ?% m3 U Y) b$ A C* J. F) |% D- z: t/ H6 L
Barrier 势垒( [% }9 w7 B& l* |( i
8 d- [* }' T( Z( Z( n: S% z! P6 oBarrier layer 势垒层2 D4 Y' P1 x! y4 q5 v. d- Q1 y* r
) b- {0 _9 c/ DBarrier width 势垒宽度 V* x. C- C S3 s: Y+ ]" d8 A+ u8 M! V4 u6 M' \* ]- z" `1 N1 F
Base 基极
8 r2 L& H" L/ e2 z& }( hBase contact 基区接触! C# X' W7 B, R' t" Y1 n
9 _5 c/ {0 R- h! _9 I/ Y/ lBase stretching 基区扩展效应' F9 |5 f. _) b) T- Q
: K$ H6 ^* \5 W% `1 Z7 sBase transit time 基区渡越时间9 G) ?+ g+ |" n5 J* C0 [; {+ H
6 K$ z4 d' C; y& H8 F8 T5 xBase transport efficiency基区输运系数8 L: o/ N+ Y$ s
/ z6 K) D% W3 s, f! CBase-width modulation基区宽度调制
" i- ^6 K, Q2 O/ \) c3 b$ O& |+ _Basis vector 基矢
$ P8 m f; [; y+ EBias 偏置
# ^3 m7 Q8 ^9 `" bBilateral switch 双向开关( J7 j0 J0 k, f9 G4 ~- q( g" N6 r/ q& {' B/ `' F( G/ \; r0 ?
Binary code 二进制代码3 x! P# q$ b: n7 q" n% a" K& L) B
1 U' t* Z) g7 ^Binary compound semiconductor 二元化合物半导体! T4 A# t8 `/ @ x! a8 X! C( z
8 G: f, R x. V% q1 @* K8 Q7 aBipolar 双极性的# v, `; [( f5 r5 c: P6 }7 W) W H
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管6 @" o& N2 ^ r3 U) E# v
Bloch 布洛赫, ^. ^& S" b% f6 y8 \9 r8 j
- W4 w& o. u) a* T: g: uBlocking band 阻挡能带. {* j/ F: }' T
: H2 X6 o) c; o2 K7 WBlocking contact 阻挡接触1 Q$ {2 O. g, I, X. ^
Body - centered 体心立方. G% n. F! N0 l4 r8 A: ~) M/ i
Body-centred cubic structure 体立心结构
- i, d/ f; [+ }Boltzmann 波尔兹曼; M8 s0 F* h2 c# ` ^% Y3 s
7 ?. d" k" T6 U3 B* I* c# }Bond 键、键合; z. O3 ~6 i, }2 V
7 A% C& r0 y h3 |/ n vBonding electron 价电子; {" V# z9 \( X5 |* D3 H3 {8 g' [5 T2 w' N/ Y9 g
Bonding pad 键合点% D5 Q( ^& E# `9 e% v8 ^! @7 d0 K- z, x# M- [6 ~
Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器- C3 ?- A) |5 ` j j9 R- A# s* @3 a) Y
Boron 硼$ K/ _9 {+ u& G/ _; N
Borosilicate glass 硼硅玻璃8 w3 |" H# U) T* [* ^3 D' o+ V1 H; _+ s2 d/ O$ |
Boundary condition 边界条件9 ?6 S1 v j$ k' l, V2 |- Q5 S; M- h0 R2 [, M* E! A6 v1 i
Bound electron 束缚电子/ T0 F* l$ C* z% p2 J
Breadboard 模拟板、实验板+ q! Q, X6 P1 w" A; {
Break down 击穿% v+ L& I1 p9 E$ B% M* E4 D
2 q" r/ }! [/ x* lBreak over 转折
8 z# n8 E7 w' jBrillouin 布里渊
: p4 s* i0 g9 q5 lBrillouin zone 布里渊区0 T9 }( i8 { Y8 o
" i8 \5 U! N' Z! m4 S- KBuilt-in 内建的! Q" ~( B5 { g
0 B1 v" L- l/ q5 c; n, aBuild-in electric field 内建电场. v* x# |, {$ B R4 s, N6 I9 y. T- \ x8 l) x+ e
Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生
, O* C2 l4 |& S: p+ p% qBulk recombination 体复合
' k" H Z9 X$ t8 W& e6 j" s, a; l5 T" ABurn - in 老化1 Y( [ g8 o5 O, Y0 B0 Y- J/ S) s" b7 o$ T3 f
Burn out 烧毁: f* L) m/ Q1 Q/ Q" @
Buried channel 埋沟1 w! ^2 f( z) o0 p/ d% _
Buried diffusion region 隐埋扩散区C
' g& d2 ]' m Q; ~' n2 j4 l) ^Can 外壳0 ~9 Y( }4 f W- [2 ~2 H
! t2 n) w9 f( U9 x$ J7 kCapacitance 电容. P/ Z. P& u5 F) T( t
Capture cross section 俘获截面& Z7 k4 l M, h- N! F; g; R( N7 }4 C U2 O
Capture carrier 俘获载流子
: a. F' n5 ]' L. w; `/ LCarrier 载流子、载波& b7 k' S) F. b) s2 _1 u+ M' Z2 X9 M0 H; H2 d9 B
Carry bit 进位位
6 a& A7 q' g' e: Q, _Carry-in bit 进位输入7 y' _9 K. z2 }$ [+ F$ W
Carry-out bit 进位输出5 y- i- X; @, o! ^! S; K) [+ P$ M# j/ r9 l' u+ f9 I
Cascade 级联3 d6 |3 D4 ~% u5 T5 A% U! S- ^. L( ~( O1 u
Case 管壳4 r+ x; v5 B* g& D) f- y" {
Cathode 阴极5 A9 V0 H8 m" y" {
Center 中心
' k! K; L- D2 X; ~Ceramic 陶瓷（的）" E1 a: l- {# @8 H+ E- M$ S
Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿( L: E0 ~' X- {* m% N
Channel current 沟道电流
; K" s4 j" d* y4 L4 e5 HChannel doping 沟道掺杂
2 l+ x+ m H: }4 N" J: U6 XChannel shortening 沟道缩短8 ^( [7 x$ s* ?, i5 l- ^
/ _$ @0 i- w/ b) x, I$ [Channel width 沟道宽度 E* ?/ j8 z# q5 r
7 I1 @* d# u0 ^: ^4 m4 d' }* B- cCharacteristic impedance 特征阻抗/ l, Z- j2 B+ D" w* B, c4 @' T1 k* t9 e/ R- ~" o: B
Charge 电荷、充电9 a; j3 d, W- u w- [0 F7 F: `8 [ B' W
Charge-compensation effects 电荷补偿效应 J# z- I7 n; C, U2 z: t
3 X, H2 d9 i$ h4 M& c0 S" @Charge conservation 电荷守恒9 J% D, H9 L* v2 k ]: \4 \& F" y4 {
Charge neutrality condition 电中性条件, A6 X7 C. ~2 h3 A9 [; P1 T0 n
/ I' }! B/ L$ w$ m* CCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
( [1 e" M3 L7 \) vChemmical etching 化学腐蚀法* }: ?: j& U: L6 N) J% b: I8 l% ?
; d( D' A ]; n: U4 Y' }4 W! ~Chemically-Polish 化学抛光
+ o% U. c- b0 ?9 z7 D, M( }$ lChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光. a; D H! X9 }
Chip 芯片) d4 w; E9 m5 P; \5 v% Z/ h
' Q( x) t; F" ^9 [- p/ A8 D `Chip yield 芯片成品率8 R! b6 F! t- L
Clamped 箝位. @4 D9 x9 |3 z. o) o1 I4 V* z2 o9 u6 n J( x
Clamping diode 箝位二极管9 [& |3 _8 S: i4 G# Z4 ?
' @0 i/ I) A2 C9 x+ ECleavage plane 解理面: j. V8 C( `; ~3 b: V
Clock rate 时钟频率: [( m% |: K! p" [. v5 w o% h+ H* a/ f
Clock generator 时钟发生器
/ r6 T: _7 ]( K- l! lClock flip-flop 时钟触发器/ w1 u; E/ A) I- f! ?* I; b0 ~1 q
- ]$ b$ o Z" t0 T1 g% KClose-packed structure 密堆积结构4 K' C/ @0 q6 t7 V0 s/ X
5 W* k* x+ o1 p9 |3 R2 lClose-loop gain 闭环增益! c+ u' v/ R% i( @& n: T
0 z9 ?+ L3 A1 M+ }Collector 集电极5 D9 O' _ [+ Z& x
Collision 碰撞6 X" O" g! R8 N6 A
, i) _4 |0 S7 i1 m" i: o* GCompensated OP-AMP 补偿运放. Z1 t5 D2 \$ U6 i0 R8 g9 u7 H1 @, g U% t& f
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
4 y- r$ y9 \- b3 t" iCommon-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接- x: y! ~9 h3 k8 p V
% d, J5 n$ v1 r- R( e Z BCommon-mode gain 共模增益; _: w' x0 B* I! A
& m9 Z. D, @# _) TCommon-mode input 共模输入# W1 J; Q8 J* L0 M# S( Z( C+ I5 ~+ R/ C
! K: \7 C; M5 Q& h8 }6 b/ pCommon-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
6 ^5 t5 y! n7 {* NCompatibility 兼容性3 U- J6 G4 w0 n- e% E
Compensation 补偿
$ ^, z8 a0 q1 u( e% kCompensated impurities 补偿杂质 }( H( U5 W# }/ _+ X: \$ o+ q( b9 B# L; q
Compensated semiconductor 补偿半导体" f) G* m) l' m3 I! Y( m$ _9 B, u( [: ^: n
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路, V0 j A. q# G' H3 ^# c# \* J+ _+ o6 R9 e6 x
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
: P: H: w7 U2 x# Z$ V2 K; O4 m互补金属氧化物半导体场效应晶体管9 h! j) N( m2 a' f9 S/ v/ j9 O, L
Complementary error function 余误差函数$ o* ?4 f0 V4 B
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造7 q" S. ^( J B+ E3 N: U% W7 b9 n
Compound Semiconductor 化合物半导体/ N# h- B9 c. z8 n) t" P3 T, F
$ i' w% [& z, u' |1 I# u+ jConductance 电导. t \, y; W- h. }$ A/ o, q- M2 m
2 {" d- _' R, ^% u! YConduction band (edge) 导带(底)! u. Z5 a4 u3 u! O+ x; K+ O
# G6 m' `$ k! q7 q4 H' AConduction level/state 导带态, l/ r" M' U& s8 \
Conductor 导体" j3 E* q5 ] [5 i, e( D, J
7 G0 t! q4 O5 D# E6 ^- VConductivity 电导率8 p" U d% v$ D- O
Configuration 组态$ ^3 w' m- V/ p& t' q8 ` b
" j* Q/ ~" V% }1 b# FConlomb 库仑. n& ~5 g% }* x5 d; t# A
! H% S( A: v3 u qConpled Configuration Devices 结构组态) ]+ I) v( N3 v$ Z; D+ p6 A# M9 ^" a; q
Constants 物理常数4 \; Y3 E5 A# g8 `" q
Constant energy suRFace 等能面
1 `9 x9 k% m0 [! W* D9 }8 lConstant-source diffusion恒定源扩散6 M; b2 C; w: B( w
Contact 接触
& {0 V- t" b7 T; yContamination 治污
5 ^7 j: C g- z! |: i- q: zContinuity equation 连续性方程: I" Q; Q" w# L: _4 N7 z3 s3 F
! ?6 T, `+ L5 o2 VContact hole 接触孔* S) v- x" m, A1 o3 p9 f9 g
Contact potential 接触电势# c9 @8 h& [6 n% h6 v( l+ \: y @/ r, G* }0 ^8 Y) I1 S
Continuity condition 连续性条件+ c/ l& Q' g* }6 O f4 R
9 q% @2 E5 O, S/ { ? NContra doping 反掺杂/ `% J" G0 s9 R, Z- ]6 @; p5 M% h: `* R) r3 ?
Controlled 受控的
$ ~2 I5 Q& q9 Y$ Z2 q* t% UConverter 转换器% {& A0 K9 Q0 A2 b6 Q: q% d; y, |2 A2 w* l( Z, \) K
Conveyer 传输器8 C% J& A) ~9 S6 ~& M
- X0 m2 \: G0 n4 r' uCopper interconnection system 铜互连系统
5 J6 @* ^- N) @Couping 耦合2 \6 q7 q0 H) B/ P/ |4 O- i7 R9 m% t$ D' y
Covalent 共阶的6 U# P, Q k, z
+ @! G, Q; T, L+ B: t# cCrossover 跨交9 g/ g4 D/ v0 Y1 }. m' e Z" F5 A8 H- m2 R: E5 Q
Critical 临界的+ @- M: x+ V* l& ]5 Y$ N
- H0 t4 }, T- P8 r! L! T. tCrossunder 穿交( C }9 ]7 B% X! L6 _- x( W
2 p" P# x! v& [& | G; [2 \Crucible坩埚7 p4 [0 Z3 e6 C5 [: E& j- V6 k4 ^( j
Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
& e3 V% {" U+ O! RCurrent density 电流密度
, c" J; E* ^& e) b% ~Curvature 曲率
. C9 M5 |- l& L) C. g/ RCut off 截止8 `5 R$ f; L9 h# F, E+ _; X- P" u# {5 ?
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享' E4 _, t! D6 ^' ^
5 q# W7 V& N, oCurrent Sense 电流取样
u4 A x8 w5 K; p: X; T2 TCurvature 弯曲# A; X- ?$ ^5 S" u, W- C/ Y- L8 h5 Z( O/ \- s# I
Custom integrated circuit 定制集成电路7 a0 `; x6 f9 F/ Y; I# R. m/ L8 J7 j! s" y! z* V# O7 _
Cylindrical 柱面的9 a/ }- b7 W+ V+ o8 G: U
Czochralshicrystal 直立单晶) n2 O4 s3 w* _
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）D
* c1 y' C# W& W" @Dangling bonds 悬挂键) {% N0 k4 R; P/ f+ ~9 n* h" n8 ~% E, K3 [& Z7 S
Dark current 暗电流: S& J/ Q" z3 z4 l
Dead time 空载时间1 t }5 W& Z7 W; Q% {% f4 |+ z, d. y/ z: g) I3 X) A, l v c
Debye length 德拜长度: h2 R3 r5 F# t" ]; a4 m$ l+ }# l; Q
De.broglie 德布洛意! m' |! m/ J+ P, d8 x0 ^2 x3 C- ^) t9 S, V; T
Decderate 减速 R* Y6 q; y y
) h& v- G+ N6 o6 `8 K2 B; wDecibel (dB) 分贝; g! W: C- A$ O( b" K: U: e# D9 k) v2 `- J+ C
Decode 译码2 A1 y9 u6 \; w8 L v) P& ~3 ]2 {: q" l& g& ~# h, _4 g/ \
Deep acceptor level 深受主能级4 p# Y. C( u4 i' ~* p' c3 m5 J
Deep donor level 深施主能级 L" ]5 A9 d4 y) U
Deep impurity level 深度杂质能级1 y1 w2 G: \* \7 m: b8 |2 z8 \) {/ v! O0 E6 Y6 h
Deep trap 深陷阱6 G9 E: h/ m( E
( ] O) K T B, E2 GDefeat 缺陷7 K3 P9 ]1 ^& I6 A& l5 o" S( p" q
$ G$ Y0 G( T( R) l6 @Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度4 c) k8 y* ] l) f0 {, K
Degradation 退化* ^8 c7 J$ U" C: g5 O% w+ V+ L
Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度8 k: V' p, X) i: G; f" B: A" Q( F8 g* M* q
Delay 延迟 Density 密度1 U1 a7 T3 Q- f' F, U; [4 I( N- y r3 y
Density of states 态密度
4 @1 q$ \* Q/ W7 k0 T1 L9 dDepletion 耗尽* M1 s5 X, b* ]8 o0 c7 H" D# s
Depletion approximation 耗尽近似" w+ Z5 Y9 u I+ t' x. ]& z# L, m& B ~
Depletion contact 耗尽接触( ~6 g: ^) o l) L' q* p& X
% l. ~5 g- @$ ?2 c9 l' m5 ~# fDepletion depth 耗尽深度. v' S& [; S7 Y" t; L- n
/ x. u5 k5 C. w, e# P ZDepletion effect 耗尽效应, j+ h5 u: s% ^& k& x8 r' S7 Q; M2 Y8 H; `
Depletion layer 耗尽层9 ~; g) s2 v4 Z" T' g) p7 Y
Depletion MOS 耗尽MOS* b: [- l+ A8 Q3 R( h6 T
8 k" Z; b2 S# b( ?/ hDepletion region 耗尽区
6 m. S" V' @" y0 [- CDeposited film 淀积薄膜8 z# {# E) D" @3 |& y7 y9 T) ^$ t! T* m$ a. B$ j% c
Deposition process 淀积工艺7 ~% C' X5 @+ Z) k6 y& i
) N; t6 M/ S3 }Design rules 设计规则
1 F! j. }7 p2 }: G. n& A0 JDie 芯片（复数dice）& X) ~9 j, r* L5 E5 o
5 W9 o7 y& {7 {5 `* e+ M' i( n9 i [Diode 二极管# V/ g# M# ~( s: `; n4 g j. o: j* z6 l3 l
Dielectric 介电的8 S: }$ R2 R$ v+ h1 I! c( x+ J+ T0 v* A
Dielectric isolation 介质隔离& A# d3 I) G- x% V: b! I& Y( ~4 N7 g8 d
Difference-mode input 差模输入
1 Z& {* v$ Z$ V" v& Z9 n6 L# aDifferential amplifier 差分放大器4 t, L4 c" S+ g% [# _5 Q8 _( x0 o
* a6 ^$ o3 o; I4 `6 i. c' }Differential capacitance 微分电容
: u; B g& o0 @6 V- p7 _Diffused junction 扩散结- P7 K7 g' o) m: l+ Q' R
Diffusion 扩散0 @3 D' l# P+ Q6 u7 l3 Z, {0 e, d& J! y" H+ D; r8 o
Diffusion coefficient 扩散系数" {2 s# d' u; U% L3 F
2 x/ n% H0 R5 n9 y1 L: S" @Diffusion constant 扩散常数
' K# Q. p* ^& ]" Q. N4 rDiffusivity 扩散率
; V6 {+ M1 y( U7 X" p3 ]/ {, UDiffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉) k2 I: z6 |. e( P h
5 v3 @+ Q% e/ z0 r6 M7 GDigital circuit 数字电路
8 t6 u2 @3 ~5 v `" c7 P wDipole domain 偶极畴& C0 l1 K1 N! Q; L
Dipole layer 偶极层3 X& P1 I7 U* u* P" t
Direct-coupling 直接耦合) \- U; _; E H# f6 o8 u
# l( T& X% z5 d6 `Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体+ H/ e. x9 r+ }5 e' X
, ^+ A& t0 U& E; L$ h2 [Direct transition 直接跃迁/ `3 i* P7 L' o z0 }& M3 n& q' n1 o2 A6 G, n4 a9 Y; m' W
Discharge 放电$ X X) a7 @9 F) ~5 I4 k j4 Y
* \8 z! w8 g" T! BDiscrete component 分立元件8 |7 V6 j9 A$ a+ O3 a$ U. ^- ^( v+ l# j
Dissipation 耗散7 m. Y% f# s- N1 F0 o
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发表于 2023-2-8 15:59
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