台积电芯片水平迎来6nm

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台积电方面透露，该公司预计其大部分7nm“N7”工艺客户最终将转型至其即将推出的6nm“N6”工艺制造节点。即将到来的“N6”工艺节点将使用与“N7”节点相同的设计规则，使客户更容易转换到更新，更密集的节点。而且，如果台积电的预测成真，N6毫无疑问将成为台积电下一个广泛使用，长期服务的流程节点。1 _! m* v: {+ j1 Y* o2 c
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此前有消息报道，台积电的N6工艺技术采用极紫外光刻（EUVL），通过减少多图案化所需的曝光次数来降低制造复杂性（目前需要这种曝光，因为TSMC的N7仅使用DUV光刻）。台积电没有明确说明在N7+或N6上有多少层使用EUVL，但已经证实后者与前者相比增加了一个额外的EUVL层。


虽然台积电的N6采用新的生产设备，晶体管密度比N7制造技术高出18％，但N6采用与N7相同的设计规则，使芯片设计人员能够重复使用相同的设计生态系统（例如工具等） ，这将使他们降低开发成本。相比之下，N7+使用不同的设计规则，但与N7相比，它还提供了比N6更多的优势。$ }8 |7 s4 \1 X3 ^

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' l& f9 j" |$ T. Z虽然台积电的合作伙伴采用了N7和N7+两种工艺，并且全球最大的芯片合约制造商预计这两种技术将占其晶圆收入的25％以上，但前者看起来比后者更受欢迎。与此同时，台积电预计今天使用N7的大多数客户将转向N6，然后转向N5跳过N7+。考虑到N7的普及程度，N6也可能会非常受欢迎。
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