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( T3 Y5 C8 \ {6 D+ X8 L上图所示，我想利用反激电路给电容充电，采用标准单端反激结构，充电电容12mf，输入电压15.8v,变压器变比1：16，一次侧漏感260nh，线圈阻抗（dcr测得）5.9毫欧，二次侧漏感205.5uh，阻抗4.11欧，励磁电感4.75uh，电路采用的是300A的mos管(IRLS3036),电源供电15.8v，最大支持240A的输出电流，吸收电路采用的是1410uf的电解电容，并联45欧的电阻串联二极管构成的RCD吸收电路，测试波形如上图所示，电容两端的电压充电至50V左右时，电源输出的电流会突增，mos管已被击穿，% g5 J8 m' e1 _; m
想不明白mos管击穿的原因，不知道这个电流是因为mos坏了才变大的还是因为mos出现直通没有关断而有大电流再把mos烧坏的？另外这个大电流的出现是不是因为吸收电路的电容不够大的原因？或者是因为吸收电路采用的是极性电解电容的原因？
3 X/ T1 q1 f1 I+ ?$ s4 P电路结构如图：; y+ {/ [& B5 Z1 f5 @7 W
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发表于 2023-1-31 09:58
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