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规则一 高速信号走线屏蔽规则) Y1 ] {1 d% e' y
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图2
6 P# _% p: n. D, f$ K# X时钟信号等高速信号网络,在多层的PCB走线的时候产生了闭环现象,这种闭环现象会产生环形天线,增加EMI的辐射强度。- ?2 |' O+ |- B1 B# H
* V$ B! z* r: G- a- Q0 K* _& s% b, J5 |; v% i' K) x0 l+ O% V8 o% @& O2 H/ b, H
规则三、高速信号的走线开环规则
4 E; x- ?. K, H0 Q2 H( e5 P! u; l规则二提到的高速信号的闭环会造成EMI辐射,同样的开环现象也会造成EMI辐射,如图3所示。( l8 }: w9 [' S; D- x9 U: |
2 ^$ K0 E! K6 E8 y. k, i; A) }$ F) u5 N% T) N2 D1 a# h1 ?# p
图48 }/ X! f( Z5 d$ j* k- r% ?% X4 S4 f2 b l' m
也就是,同层的布线宽度必须连续,不同层的走线阻抗必须连续。7 g$ x! Z \7 F6 k a) ~2 D$ F4 T l, i
4 O8 v6 s, J6 N* }8 b q! T规则五、高速PCB设计的布线方向规则$ o$ o4 z( `- k. A/ ~6 N5 l6 W
相邻两层间的走线必须遵循垂直走线的原则,否则会造成线间串绕,增加EMI辐射,如图5所示。' u& O7 x4 ^8 G) [: a" I8 [2 g O% y
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" M: o4 J8 S( ~) z
图6' k s! w7 V& h! L( V. A& e! u' X% Q
如图6所示,就是我们常用的菊花链式拓扑结构,这种拓扑结构一般用于几MHZ的情况下为益,高速的拓扑结构我们建议使用后端的星形对称结构。: }- g: t7 f4 u- a7 l* Q5 [! L, V" ^- Q* v Q) R
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. Q/ p2 M* \; B% `% E/ j4 t规则七 走线长度的遵循规则, M+ f* m! o' h9 Z% n" j( r f' m6 W! A/ L) y/ M
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图86 k' Q1 u: w/ a. o0 {3 `
- L+ G+ h: t# _' D( @9 z0 L! l& N所有高速信号必须有良好的回流路径,尽可能的保证时钟等高速信号的回流路径最小,否则会极大地增加辐射,并且辐射的大小和信号路径和回流路径所包围的面积成正比。
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+ G& u Q c8 ^. ~" k8 J% r规则九 器件的去耦电容摆放规则
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0 V% P+ z3 L9 D) O. P6 l5 S. c去耦电容的摆放位置非常重要,不合理的摆放位置,是根本起不到去耦效果的。去耦电容的摆放原则是:靠近电源的管脚,并且电容的电源走线和地线所包围的面积最小。/ o4 C" W( P' G! T$ T
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