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规则一 高速信号走线屏蔽规则) Y1 ] {1 d% e' y0 ~. W6 n0 V8 ?; ~$ @
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5 t# f: N( ~( T) C* O0 \1 u$ e+ V9 Q( \' X
3 r. a& J1 a* V图2
" P! m$ Q1 B5 t6 h0 {4 V时钟信号等高速信号网络,在多层的PCB走线的时候产生了闭环现象,这种闭环现象会产生环形天线,增加EMI的辐射强度。- ?2 |' O+ |- B1 B# H
& `4 A2 O D. S( S. G, J5 |; v% i' K) x0 l+ O% V
3 N5 x( D! O/ J! c7 ~% N4 w; L7 h. q' @, n规则三、高速信号的走线开环规则8 Q) {: P* L9 i2 k7 F' d
规则二提到的高速信号的闭环会造成EMI辐射,同样的开环现象也会造成EMI辐射,如图3所示。( l8 }: w9 [' S; D- x9 U: |
: ]9 k8 ~: ?* x, t8 x7 L, i; A) }$ F) u5 N% T/ s1 U' ]# ~! @: z$ `8 u
图48 }/ X! f( Z5 d$ j* k- r3 B" B8 C/ J% U, x. h, e% j
也就是,同层的布线宽度必须连续,不同层的走线阻抗必须连续。7 g$ x! Z \7 F6 k a4 m( R& k% \; i0 E5 Q% J4 F/ P
) G3 o) q- u: v$ o规则五、高速PCB设计的布线方向规则# E* S$ M/ ^6 u' W3 _/ Z
相邻两层间的走线必须遵循垂直走线的原则,否则会造成线间串绕,增加EMI辐射,如图5所示。' u& O7 x4 ^8 G8 P$ U# W: o d
/ E, |7 L3 [' _8 U; f& b& N4 N# Y! H# t1 W* Y8 _
/ Z1 B* m+ I9 \; p
图6' k s! w7 V& h: u$ \, k9 H! C6 n7 b, [. x# y
如图6所示,就是我们常用的菊花链式拓扑结构,这种拓扑结构一般用于几MHZ的情况下为益,高速的拓扑结构我们建议使用后端的星形对称结构。: }- g: t7 f4 u- a7 l* Q5 [& W5 b- w1 a2 B$ r% I
; p5 o$ g7 m6 z2 g% X3 Z/ O, `' [1 m
规则七 走线长度的遵循规则, M+ f* m! o' h9 Z% n" j( r f/ R3 r" Q* Z _0 \3 {% i/ D! r/ X( d
( v: `* r0 M5 @2 ]! F( S% O: t) g$ _% V4 z
图86 k' Q1 u: w/ a. o0 {3 `
3 n* G& B- |" j& ]- O- D' |所有高速信号必须有良好的回流路径,尽可能的保证时钟等高速信号的回流路径最小,否则会极大地增加辐射,并且辐射的大小和信号路径和回流路径所包围的面积成正比。
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( l) Y; \. C& J5 V: ^5 b规则九 器件的去耦电容摆放规则- v+ D& v+ M4 c: @- @6 v$ j4 o
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去耦电容的摆放位置非常重要,不合理的摆放位置,是根本起不到去耦效果的。去耦电容的摆放原则是:靠近电源的管脚,并且电容的电源走线和地线所包围的面积最小。
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