MOS管的参数 功率耗散 （Power Dissipation） 怎么理解

dream123

同样的硬件电路板子，同样的使用条件（通过同样的大的电流），只是单纯的替换MOS管，
9 ^- X  M$ J7 j- \0 g! E/ t- M2 l最大功率耗散 （Maximum Power Dissipation）这个参数值越大越好，还是越小越好？
我的理解应该是越大越好，我认为这个值越大，说明这个MOS管能够承受的发热损耗功率更大，也就是更耐热，更耐热也就是意味着更不容易损坏。
例如同样是2301这个mos，我认为vishay的这个参数要比长电的这个参数好？
用了好几年的MOS管一直没有注意到这个参数怎么看undefined，麻烦给科普下，谢谢！
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peerless2021

可以这么理解，实际上是Pd=温升/热阻，也就是Pd达到max值时Tj也到最大了

aid4her

sot-23  功率1.6W？这个参数肯定必须附加条件，否则没有一个管子扛得住。
所谓耗散功率，就是简单的用电压电流乘积去算就是了，在高频率开关条件下，则可能开关边沿功耗比静态功耗还大都说不定。
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R_myself

Pd找个参数是一个在jedec标准下的稳态参数，标准一般在给热阻参数的时候会有说明（2盎司铜厚，四层电路板，一平方英寸大小（具体查查标准，记不太清了））

  u; F' D, T8 O% K! ]" b) l/ m/ d6 ?另外有一个参数可能也很关键，EAS