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MOS控制比较高的电压时为什么需要慢开通?

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-12-28 15:35 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    图片描述:

    1路稍大的电阻和pF级别电容使MOS慢开通。

    2路小电阻和二极管提供低阻抗放电路径,使MOS快关断。

    (注:这个mos上端是变压器的原边线圈,是整流桥过来的310V电,这是个控制反激隔离电源的管子)

      g) ]" ?+ e! Q* k. G

    我的问题:

    1.为什么要使管子导通慢呢?这样米勒平台不就长了吗?快开快关不好吗?

    2.看资料说是控制高压时如果dV/dt太大容易振荡,但是快关不也是dV/dt很大么,快关就不振荡了?

    3 X2 S' R* X5 H! l" J4 Q

    怎么理解这个应用场景需要慢开快关呢?

    . H$ k2 A  G/ L3 Z- T1 g
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-24 15:10
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-12-28 16:40 | 只看该作者
    在UC3842之类反激专用控制芯片的说明书里面,特别强调MOS管从关断到导通的这个电流尖峰。该电流尖峰有可能使电流环控制误动作。所以在逐周期电流取样电路中特别插入一个RC低通滤波,目的就是让这个电流尖峰不会影响逐周期的电流控制误动作。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-12-28 16:46 | 只看该作者
    要考虑G极的驱动电阻,此增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率,,,
    ' P( X0 D9 L. ]+ |  _1 Y7 `* jMOS管开关比较慢的开关速度,对EMI有好处,
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