TA的每日心情 | 开心
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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-12-26 16:38 编辑 ) n' M; n2 E8 U! H$ \/ s5 c
1 z8 U: i7 v, u8 K% A) {一、引言电子设备中的启动、稳压，电力系统中的恒流源、固态继电器和高压直流线路等应用均需要使用 N 沟道耗尽型功率 MOSFET。在电路中，当栅极-源极电压为零时（VGS＝0V），MOSFET 作为常开开关工作。本文将介绍目前行业最新的 N 沟道耗尽型功率 MOSFET 及其应用优势，同时与应用工程师共同探讨关于 Depletion-Mode MOSFET 在不同应用环境中的选型问题。图 1 给出了 N 沟道耗尽型 MOSFET 的电路符号，其电极分别为 G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。耗尽型 MOSFET 主要采用垂直双扩散 MOSFET 结构（DMOSFET），与其它结构类型（如高 VDSX、高电流和高正向偏置安全工作区（FBSOA））相比，垂直双扩散 MOSFET 结构具有更好的性能特性。Depletion- Mode MOSFET的应用$ L' t9 i, x4 r! v; O) a6 k, v& e5 P
Depletion- Mode MOSFET.pdf
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发表于 2022-12-26 11:18
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