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静电放电保护设计--ESD器件选型步骤

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发表于 2022-12-19 10:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对大部分电子设计工程师来说,ESD静电放电保护都是设计过程中不容忽视的一项重要内容。静电放电不但会使PCB板中昂贵的电子元器件损坏,还会影响电子设备的正常工作,为不降低客户对电子设备使用的用户体验度,必须进行ESD静电防护保护设计。
1 y, c( f! \0 P# j5 ` 电子设备需要使用外部保护器件,除了因为:产品的功能集成化造成I/O接口的增多,为ESD进入电路及电压敏感型元件提供了有效路径;产品外观小型化,使得IC更容易受到ESD损坏;满足ESD抑制标准**USBLC6-2SC6**。最重要的是,可以将外部保护器件置放在连接器或端口处,在ESD进入电路板之前就有效的抑制ESD事件的发生。: G6 t% w" P! I6 u/ g
ESD器件选型步骤:
/ }' x0 T6 P* c1 [
  • 计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压;
  • 根据信号类型决定使用单向或双向ESD器件;
  • 根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容;
  • 根据电路系统的最大承受电压冲击,选择合适的嵌位电压;
  • 确保ESD器件可达到或超过USBLC6-2SC6
    * q) l! b0 P0 Z7 l 电子ESD保护器件有:ESD静电二极管、高分子ESD二极管、贴片压敏电阻,满足市场上绝大部分的电路静电防护需求,型号多种类全,满足ESD静电保护对电压、电容、钳位电压、封装尺寸及防护等级的各种需求,同时绿色环保满足UL、RoHS、REACH等认证标准。
    + U8 m- r- S# ^2 ~

. J1 e: t: Q6 d  v

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2#
发表于 2022-12-19 11:09 | 只看该作者
VRWM,反向工作电压。这个值一般略大于被保护信号的电压,比如信号电压在2.5V左右,那么Vrwm可选择3V-3.5V即可。不需要很大,否则会导致另一个参数钳位电压过大。

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3#
发表于 2022-12-19 13:18 | 只看该作者
VBR,即反向击穿电压。就是当静电或瞬间电压超过Vbr,TVS反向击穿,泄放电流。
+ A$ Y7 v2 t  s. l+ d: O% z' A9 pIpp峰值电流和Vc钳位电压,Ipp是越大越好,说明TVS过流能力强,同一型号下Ipp相同时,Vc越小越好,说明钳位性好,而且Vc要小于被保护电路能承受的安全电压。1 @9 ^& z: t$ S% E2 }
Vc怎么测试的,就是在给定的峰值脉冲电流Ipp下测量TVS两端电压。
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