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新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE0117K

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发表于 2022-11-29 18:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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描述
NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计,以较低的栅极电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 100V, ID = 17A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ)
RDS(ON) < 85mΩ @ VGS =4.5V (Typ:65mΩ)
●高密度电池设计,超低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好,均匀性好,EAS高
●优良的包装,散热性好
●特殊工艺技术,防静电能力强
应用
●电源开关应用
●硬切换和高频电路; [% M$ H" Z- j& H$ G6 h, O1 }. X
3 S& @3 S9 O$ @* E4 x

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    发表于 2022-11-29 18:59 | 只看该作者
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