新洁能12-200V N沟道MOSFET NCE6080A

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描述

NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

总体特点

●VDS = 60V, ID = 80A

RDS(ON)<6.3mΩ @ VGS=10V

RDS(ON)<7.8mΩ @ VGS=4.5V

●高密度电池设计，超低RDS(ON)

●全特性雪崩电压和电流

●稳定性好，均匀性好，EAS高

●优良的包装，散热性好

应用

●PWM

●负荷开关

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功率器件

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