ESD选型指南

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一、ESD工作原理
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+ w1 a/ b1 p+ G' W! T& C# `ESD静电保护元件，又称静电抑制二极管。ESD是多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。
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( K$ _5 t8 k6 Q* I  }4 K二、ESD特点
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1. ESD是一种钳位型过压保护器件，用于静电防护及一些较低浪涌的防护；
# ~3 e* E- A( m) H2. ESD电压根据被保护IC 的工作电压设计，如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等；
5 z/ V: J- ^# o/ d3. 电容低，目前最小可做到0.17pF，满足10GMbps高速应用，不影响数据通信质量；
1 ~2 G0 |) f( T+ Q! J4. 封装小型化，封装形式多样化。

7 C: Q) s) l8 z2 j4 o三、ESD参数说明
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ESD产品的伏安特性曲线与TVS类似，与TVS不同的是，ESD产品功率较小，工作电压也较低，ESD的工作电压根据被保护芯片的工作电压来设计。
VRWM：反向截止电压，即ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，ESD的漏电流很小，可以达到10纳安左右。
" B$ L, j0 o+ ?VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。
IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。
7 W) b: J0 c) g+ S9 tIPP：峰值脉冲电流，ESD产品一般采用8/20μs的波形测量。
VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。
$ G5 @/ |( ]! f# aCj：PN结的结电容，会影响数据传输，高频信号选取ESD时，一定要考虑Cj对信号的影响。

+ `" _1 L1 J( O! c4 o# u  x2 g" Q3 `四、ESD选型注意事项
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2 w" {3 f  ~! c  p3 Q+ r1. ESD器件的截止电压应大于被保护IC的最大工作电压，否则会影响被保护电路的正常工作。如工作电压为5V的线路，应选择截止电压等于或者大于5V的ESD器件进行保护。
2. ESD一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，如USB3.0、USB3.1、HDMI、IEEE1394等接口，ESD保护器件的结电容应选择尽量的小，以避免影响通信质量。
3. 根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。ESD器件封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。

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ESD抑制器由聚合物（POLYMER）电压诱变材料和高电分子材料制成的，我们称之为高分子ESD，特点是物理放电没有寿命限制

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ESD的模拟方法，静电枪也是ESD保护能力测试工具。

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将一个电容充电到高电压（一般是2kV至8kV），然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负ESD两种情况。