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芯片封装内MLCC的技术特点

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发表于 2022-11-18 16:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-18 16:49 编辑   W- M& b, b! t! K9 z( A
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  近日,最新推出的应用于芯片封装内的MLCC受到现场众多半导体行业人士和投资人士的关注。针对现场交流情况,在此解读芯片内埋MLCC的技术特点。芯片本来是由晶圆刻画形成不同电路,随着芯片的小型化和多功能集成化发展,单个芯片承载着诸多复杂的功能,很多外围电路和器件都集成了单个芯片里面。相对于常规的在PCB板上贴装的场景,芯片内空间小,温度高,稳定性要求高,这对内埋的元器件要求也更高。- K) Q2 W9 r) w8 {, Q% d
2 b# m6 U$ Z' w3 a) T1 D( d5 Y) Z6 Y
  针对芯片封装内的特殊要求,我们推出了四类MLCC:
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  “超微型”是芯片内封装MLCC的主要特点,也是微容的突出优势产品系列特点。目前量产的典型尺寸是01005,还有最新开发的008004尺寸。它们的超小体积、超薄高度的特点,非常适合芯片内空间小的场景。相对于消费类电子产品大量用的MLCC,芯片内的小型化程度要提前1-2代,比如目前市场上用量最大的是0201尺寸的MLCC,旗舰智能手机、高精模组及智能穿戴产品开始带动01005尺寸MLCC使用,但在芯片内,主流的已经是01005,先进的产品里面已经大量使用008004尺寸的MLCC。
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  高耐温MLCC主要是针对100nF及以上的这类C0G和X7R材料在小尺寸中很难达到的容量,将其温度从X5R的85℃提升到105℃或者125℃),以提升其在高温环境中工作的稳定性和可靠性。- F/ N6 i5 [2 m& t+ `( Q

; ~, G& Y, y( B( ]& U% l2 S- p  射频芯片是重要的一类芯片,对配套元器件的射频性能要求非常高,对此,新推出了两类MLCC:
8 V. V6 P; ?  V1 ?6 X
: a* ^  I+ Y( D5 `; R8 k4 k1 c  射频MLCC通过元件内部结构的设计改良、微波陶瓷介质材料,以及低损耗特性的铜电极材料,实现低ESR,强抗干扰,高SRF等特性的MLCC,对于射频信号处理的处理效果非常理想。目前MLCC已经覆盖008004尺寸到0402尺寸各个容值的高频需求,同时针对基站等产品,增加了0603和0805等大尺寸射频电容。2 I0 I/ t' u) r& E1 Z7 \
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  倒置式MLCC即将MLCC的长宽倒置,缩短内电极,增加电极的层数,从而缩短高频电流路径,降低ESL,降低电路失真,维护射频信号的保真度。目前主要针对龙头客户需求,开发了0306、0709等尺寸,同时0101、0202、0303等低ESL系列也完成了技术开发。  6 E3 \$ _" _; ?7 G0 c# l. d

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2022-11-18 17:15 | 只看该作者
    MLCC是片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来的,并且MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。
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