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这个东西仔细看看规格书就知道了。
' [3 C2 H" u5 ~4 V/ m8 ]1.首先,为什么10K/10K的分压不行?
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& K- x+ Z& {8 a0 R" [+ O/ |( L& V% [# @! _9楼说的有道理。从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K/10K的分压后,Vgs在2.5V左右,达不到完全导通,自然驱动电流比较小。这就是为什么LZ将R3去掉以后,或是将R3调整位置以后可以驱动的原因。
3 Y* A* t2 @7 \/ N7 g/ q- g2.为什么会有0.6V的压降?
* C: |3 M# i1 w. I; r基于半导体的特性,MOS管完全导通时,是有内阻的。从SPEC上看,在mohm级,且跟导通的Vgs电压有关,Vgs越低,导通电阻越小。0 [, t2 `8 i1 U1 C
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: ~) B! d& {; E( X- t* O1 U" V9 V由图可见,在接近阙值Vgs(th)2.5V时,基本是无穷大的。
) q4 {+ }6 ~. x1 Y0 N3 H3.R3/R4该怎么取值?* V# ^) E4 Y, j( |. J
从一般使用来说,建议R4用10K,R3用个1K就行了,这样在5V的情况下,完全导通的话,Vgs=4.5V,Rds(on)可以比较小,减少在MOS管上的损耗。
r2 v2 }* f* W; v. o4.R3去掉好不好?
8 J4 U& _$ P( M说到这里就有个疑问了,如上所述,R3去掉不是更好,Vgs可以保证最大?其实应该是这样的,R4上应该并联一个1n-10nf左右的电容,在Q1导通的时候,与R4组成一个RC环路,起到电源缓起的作用,可以有效去除电源上下电过程中出现的过冲现象。13楼说是给MOS管放电的,我就不是很理解了,不知道能不能解释下。3 I% V! o% e, T i4 g r0 ^- `; [
5.D2要不要?
4 V+ j+ k! l" y% _ F建议D2去掉的原因,不是说D2去掉后情况会好些,只是因为D2完全是多余的,浪费。 |
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