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这个东西仔细看看规格书就知道了。
( b$ ]& T8 m$ \$ H0 H3 u5 l1.首先，为什么10K/10K的分压不行？9 K. E# Q, q; L8 n, `+ \0 ?+ a
6 y; F7 J. b( ]3 M
9楼说的有道理。从规格书上看，AOD409的阙值电压是2.4V,而10K/10K的分压后，Vgs在2.5V左右，达不到完全导通，自然驱动电流比较小。这就是为什么LZ将R3去掉以后,或是将R3调整位置以后可以驱动的原因。5 a8 B" F" U( o& V4 R3 ~* I
2.为什么会有0.6V的压降？" \3 J/ N& S5 d% h
基于半导体的特性，MOS管完全导通时，是有内阻的。从SPEC上看，在mohm级，且跟导通的Vgs电压有关，Vgs越低，导通电阻越小。+ U _1 W& P* ~: L5 s; u
) v% i0 k1 F& ]/ a7 b! }+ M& a
) b T# H# w% R6 m% |4 d; _由图可见，在接近阙值Vgs（th）2.5V时，基本是无穷大的。
' K( r. Q6 ]8 }$ q. e* N' G3.R3/R4该怎么取值？+ H, Q$ |, m- S6 e+ m3 S4 [, a( e
从一般使用来说，建议R4用10K，R3用个1K就行了，这样在5V的情况下，完全导通的话,Vgs=4.5V，Rds（on）可以比较小，减少在MOS管上的损耗。
5 u2 E0 N M' A& c4.R3去掉好不好？, R# ?2 v; f2 v* W
说到这里就有个疑问了，如上所述，R3去掉不是更好，Vgs可以保证最大？其实应该是这样的，R4上应该并联一个1n-10nf左右的电容，在Q1导通的时候，与R4组成一个RC环路，起到电源缓起的作用，可以有效去除电源上下电过程中出现的过冲现象。13楼说是给MOS管放电的，我就不是很理解了，不知道能不能解释下。) {+ z6 o, |& f0 }/ R6 o
5.D2要不要？' c' e! Q7 P4 f% z. z# c x
建议D2去掉的原因，不是说D2去掉后情况会好些，只是因为D2完全是多余的，浪费。 |
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发表于 2012-4-23 17:02
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