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这个东西仔细看看规格书就知道了。5 ^6 ^" R1 n: t* O$ C* U
1.首先,为什么10K/10K的分压不行?
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9楼说的有道理。从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K/10K的分压后,Vgs在2.5V左右,达不到完全导通,自然驱动电流比较小。这就是为什么LZ将R3去掉以后,或是将R3调整位置以后可以驱动的原因。2 K" d! b$ H, _& E7 U* }! ]% I
2.为什么会有0.6V的压降?
9 f6 ]+ f* K4 ^! v/ q/ u基于半导体的特性,MOS管完全导通时,是有内阻的。从SPEC上看,在mohm级,且跟导通的Vgs电压有关,Vgs越低,导通电阻越小。
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由图可见,在接近阙值Vgs(th)2.5V时,基本是无穷大的。
: U- @ N I- C3.R3/R4该怎么取值?
) s$ W0 e* W$ t3 s' e$ h从一般使用来说,建议R4用10K,R3用个1K就行了,这样在5V的情况下,完全导通的话,Vgs=4.5V,Rds(on)可以比较小,减少在MOS管上的损耗。
7 F3 g3 ^2 ~# y- ^4.R3去掉好不好?
4 v+ ] {- X" r, h5 Y说到这里就有个疑问了,如上所述,R3去掉不是更好,Vgs可以保证最大?其实应该是这样的,R4上应该并联一个1n-10nf左右的电容,在Q1导通的时候,与R4组成一个RC环路,起到电源缓起的作用,可以有效去除电源上下电过程中出现的过冲现象。13楼说是给MOS管放电的,我就不是很理解了,不知道能不能解释下。
/ T% \/ L9 A+ f9 `! a5.D2要不要?
, A- w# U, c( }4 F建议D2去掉的原因,不是说D2去掉后情况会好些,只是因为D2完全是多余的,浪费。 |
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