相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

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一、相变存储器的特性和功能
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6 G  ]5 O/ V  ]. k  Z# V( P  c　　相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存，也有RAM或EEpROM特定的属性。
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* j$ d# L6 B/ V0 |　　1.1位变量

　　与RAM或EEPROM一样，PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0，也可以从0更改为1，而无需单独的删除步骤。
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　　2.非挥发性
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　　NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点，也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据，实验结果表明PCM具有良好的非易失性。
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　　3.读取速度

　　与RAM和NOR闪存一样，PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此，您可以直接在阵列上运行代码，PFC（功率因数校正）而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存，带宽类似于DRAM。另一方面，NAND闪存的随机存储时间达数十微秒，因此无法直接完成代码的执行。

2 U, L7 e$ [5 j: P: a　　4.写入/清除速度
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1 D, L2 N5 p, l& U; t- ?. S- g　　PCM可以获得与NAND相同的写入速度，但PCM的响应时间缩短，不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定，但删除时间较长。与RAM一样，PCM不需要单独的擦除步骤，但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展，存储设备将缩小，PCM将不断改进。

4 s* w9 }, r" D2 Z2 z# {  p9 B　　5.缩放

　　变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构，存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的，能量计量需要10V以上的电源，CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律，存储每缩小一次，密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小，GST材质的体积也在缩小，PCM也在缩放。
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　　二、内存选择和总线概念
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" T! V: C; m; g5 X' o$ D# B5 L9 t! [　　发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里？
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1 F1 n+ y( ^7 o  \4 ~' a　　那在计算机上，一般来说，这8条线不仅连接一条内存，还连接其他部件，所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的，所以如果总是把一个设备连接到这8条线上，那就不好了。例如，如果这个内存单位的数字是0FFH，另一个存储单位的数字是00H，那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗？所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上，则无需直接连接到每个设备，只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关，将数据写入此内存，或从内存中读取数据，打开开关即可。 这套开关由三条引线选择：读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片，请先选择片，然后发送写入信号，开关将关闭，传输的数据(电荷)将写入片。要读取，首先选择片，然后发送读取信号，交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存，但由于切片选择不同，有读写信号，但没有切片选择信号，所以不同的内存不会“误解”，而是打开门，造成碰撞。那么，如果在不同的时候选择两个芯片呢？如果是设计良好的系统，就不会这样。因为它不是我们的人，而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况，那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。

# K$ k7 s4 D# m- z　　那么，在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里，高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高，电子越活跃，在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。

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