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替换IRF3710PBF场效应管型号参数,逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构用国产MOS管

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发表于 2022-11-3 23:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-4 09:30 编辑
3 D$ f, f; m0 T/ a# H1 r2 D  ?/ I; I+ `+ E  ~' n) V9 t
逆变器整体的企业发展趋势在不断增强,2022年仅1-9月国内新增光伏装机容量52.6GW,接近去年全年水平。发展如此迅猛,如何选择一款好的MOS管应用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构中呢?
* ^+ R! Z+ E: X3 W6 r8 G+ n; k$ ]1 y  \' c" P5 A* _) d3 p& K
在市场中,IRF3710PBF场效应管型号参数是有常用于逆变器的Q1-Q2组成推免拓扑结构中的,而在国产化的替代型号中,建议可选FHP3710C型号进行替代使用。究竟为何呢?  j! p9 _. ~4 x$ i1 E) Q

# e9 G& ?1 }: M

3 a1 S+ S; j* N9 [% ?7 Z  R我们可从三个角度进行分析为什么推荐FHP3710C场效应管用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构?$ r: s( t! q- }7 p. A7 L# y( i3 J; W
& K) z8 ?' Y9 ?0 a- w$ H) f
一、FHP3710C场效应管产品质量优,供货稳定
0 x" v* V+ G2 W% S
3 v# B$ A+ l: }9 G7 Q这款优质FHP3710C国产场效应管的产品参数:其具有57A、100V的电流、电压,RDS(on) = 23mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) = 18mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。
, }% y6 S; V7 q7 b) t) q; \( a* H8 I% P/ |" G
纯国产制造,具有100% EAS测试,100% DVDS测试,高EAS雪崩能量,可靠性高,抗冲击性能强的特点。
$ G; O4 n  P" _$ C- V$ Y
" t# \# q2 x4 u) ~% FFHP3710C的封装形式是TO-220。这款产品参数:VTH(V):2-4;ID(A):57A;BVdss(V):100V、Vgs(±V):20;。/ j6 k- c  U' |0 k5 G& j* X( a

3 N$ Y8 a, C( y; |  y
& r+ r. V! _1 j" O! l7 X( P
二、FHP3710C场效应管产品应用专业,针对性强  E7 c) R4 g% V/ ]

8 ~# T) F+ G/ h/ ]- EFHP3710C为N沟道增强型场效应晶体管,采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,可使用在音响功放、逆变器、UPS等应用场景。可替代场效应管品牌型号:IRF3710PBF。, O& }& `& @, ^* K

$ o% _) Z3 L' G在具体的应用中,还可依据逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构厂商的不同产品定制对应的MOS管产品使用方案。. {- P4 o# y  S, c; G! D

4 {" @' ~7 N) U8 q三、厂商专注且可信赖度高
8 l& R, @5 E5 K* _' J
1 t7 a% K0 W2 Q& JFHP3710C型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产,它是可以代换IRF3710PBF等型号参数的场效应管。2 s7 K4 f' b' v
# F  O* n, d. x8 \3 {0 X# {
工厂曾多次被认定为广东省高新技术企业、功率MOSFET被认定为广东省高新技术产品。0 @7 _, y* }; `: k, P. U
$ u* [, Z: |; p4 c0 L
通过三点描述,相信大家都清楚FHP3710C型号是非常适合在逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构的电路中使用。+ D# R" H" s( z- {7 c. v* c' m* `
/ X' h) J, P! p3 J
9 w4 Q4 ?. G, `( r- \
除参数适合外,工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。( f3 u. s6 q6 V! c# X
4 P/ {1 \( c3 ?: e

5 L. [# r6 u- P) A
  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-11-4 09:25 | 只看该作者
    替换的元器件建议选择品质高,性能好的。还要看替代器件的各个参数是否符合要求
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