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MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。5 Y- Y/ C, w5 ]- Z* E& m7 I9 N
" ~7 `) Y: T/ ?7 r4 g 管子类型：N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。（以N沟道增强型MOS管SQ3426EV-T1_GE3为例）
+ P% Z6 k7 i% ]; I2 H9 {+ d 漏源极最大电压Uds：60V，超过此值管子会损坏。
% Z6 m" }/ ]9 z 删源极最大电压Ugs：±20V，超过此值管子会损坏。# |, R/ g9 D+ _
最大功耗PDM：1.6W@125℃，决定于管子允许的温升。
, p2 o( \; j4 L; P' D) o7 J5 e 最大漏极电流IDM：4A@125℃，管子连续工作时漏极电流的上限值。! k& L- p- D3 C, d5 n
栅源极开启电压Ugs(th)：2.5V，增强型MOS管参数。
$ `& N7 w/ G6 x, v6 O 栅源极夹断电压Ugs(off)：XXV，JFET和耗尽型MOS管参数。
3 P7 `' w+ Q8 U* N/ X% \7 f$ |& T i 漏源极导通电阻Rds(on)：32mΩ3 m) l5 L8 z* D4 n
低频跨导gm：21 S(西门子)，表示ugs对id控制作用的强弱。
( u- v% O0 q; R; { } 下降时间：7ns& U) a+ p0 G: @6 S
上升时间：12ns, u7 ~0 K4 Z0 o4 I) A% H
典型关闭延迟时间：19ns* C, I | E/ Y# f! L. W
典型接通延迟时间：9ns; l( B; S: S% b% H4 q2 S( n+ B
工作温度范围：-55~175℃3 B4 r+ E: j" J
封装：TSOP-6
) J3 `' E! q. Z 质量认证：AEC-Q101! V% U4 k Q. D
环保认证：ROHS# l, y3 [- ~/ _# D B4 s& u
厂家：Vishay9 U+ J$ F6 e8 l7 i
出货累计失效率：＜0.1ppm
5 d. T! ^" G0 \9 ?+ P4 I" ~( L 量产时间：2018
3 ~# y `# N3 F ]/ W, w! t 出货量：10KK/M0 L0 s, `: f- A: \
使用寿命：＞10年
+ d4 Z. V# I/ s, B4 f1 Z( f2 a 价格
9 }+ p( R/ [! ~5 O/ L
% Q* t$ x% S# W
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发表于 2022-11-2 10:08
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