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基本器件选型之二极管

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发表于 2022-10-10 10:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 big_gun 于 2022-10-10 11:25 编辑 ( K9 z, v: B; _) S+ L, m& X
8 y" E) S( A6 i6 h6 L1 |
关于二极管类型曲线总结; M0 [( l& h2 L* n' s+ g
* }7 G( p0 Z5 q$ F& N* o6 d0 m
最近由于工作了,疏于更新。由此也能看出,其实工作以后自己总结的内容和时间都会变少,所以希望大家珍惜在学校的时间和资源,将知识夯实,这样在工作中才能变得更主动。2 l' A( |% G- ~' v. _0 f
我将对比的实际datasheet,整理一些二极管的类型和特性。2 D* b% \) {3 _) Z3 `

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! {- Z9 j' `5 O. a; h) u8 S首先不同二极管的原理图的区别在于那个表示PN结的直线或者折线,而这根线往往与二极管本身的曲线特性相关
. G6 `2 y9 y, f% V我可以举个简单的例子,比如TVS BV05C的伏安曲线特性如下图  p' R: d& p5 h: e- P0 W
8 Y  o; @% n. n) k9 U
是不是觉得和TVS 的原理图示意图一样。下图是稳压二极管的伏安特性,看起来是不是比TVS的伏安特性曲线更抖,有了这一步以后,我们去记忆二极管的伏安特性曲线更好记忆,画原理图也更容易理解。0 D4 `3 b6 ?% [3 E$ x% h9 m; }" d
( `, x4 D8 d6 {) }
二极管可以根据电路中的作用和结构进行区分。
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7 H- ^1 P' z& G一、普通二极管
  g' O0 [9 M; U0 s( K, \4 m8 O普通二极管主要是利用其正向导通,反向截止的特性,运用在电路中,对于大多数二极管的选型,都应该注意以下几点特性:; F8 I+ J  v% Z4 J/ @) ]& e
1、正向导通压降:管压降就其本质而言还是一个电阻,只是导通的时候电阻很小,不导通的时候接近无穷大,而导通时候的电阻会分担一定的电压,所以叫管压降。二极管低于该值不会导通,该值与二极管材料类型有关,比如 硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,肖特基二极管为0.5v,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。
" J& K  A9 _% K2、额定电流最大正向电流IF:额定电流IF指二极管长期运行时,根据运行温升折算出来的平均电流值。二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。; e$ V0 s+ s9 E8 J. Z& r- H' k
而正向电流IF往往与正向电压VF息息相关,我们可以通过东芝的CF101MA二极管看到这颗料伏安特性的变化,当然温度也会影响该伏安特性曲线。
) v1 ^; E. u- ]: M2 t! m3、最大浪涌电流IFSM:运行流过的过量的正向电流。不是正常的电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
( I9 P' I, }7 U1 F" L- N很明显可以看到二极管可以走过的最大浪涌电流,但是必须是短时间内,否则会被烧坏。
* D0 t" p2 W4 r# O8 H9 H( B- L# J7 O4、反向电流(漏电流)IR外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。 由于反向电流很小,二极管处于截止状态。 这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。: H7 f+ a+ D% U8 i+ y

8 F# V5 \& P5 z. t9 l# ?三、整流二极管
- {- w% x, Z- w) P- B' `# |整流二极管一般正向电流比较大,1A以上。多为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。在一些高压电流比较大的输入电源,如果需要防反二极管,也是用整流二极管。应用比较多的就是AC/DC。
! V% F5 L, b/ f9 O( ~% i6 \) @2 g: k' n3 k+ K8 u  T
而整流二极管重要参数! G6 U# Y( x" l8 l' I# C
1、最大平均整流电流IF上面已经提及,虽然叫法不一样但是原理都是一样的。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
$ h! K, [7 R) W: }( @! W: H2、最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流 (IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而 引起反向击穿。通常取反向击穿电压 (VB)的一半作为 (VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1000V。
! s4 `& M. U- s3、工作频率fm:它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容or反向恢复时间Trr决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
1 s" l' f& @% M- X& V4、反向恢复时间Trr :实际应用中的二极管,在电压突然反向时,二极管电流并不是很快减小到0,而是会有比较大的反向电流存在,这个反向电流降低到最大值的0.1倍所需的时间,就是反向恢复时间。
- p6 K2 h2 H* J& k+ d(如果结电容太大,工作频率高不了。因为频率越高,电容的阻抗越低,信号都从电容直接过去了,二极管失去了反向截止的作用。如果反向恢复时间太大,工作频率也高不了。因为频率越高,电压翻转越快,反偏之后反向电流还没恢复,电压又变了,二极管也失去了反向截止的作用。所以,总的来说,结电容和反向恢复时间,都会影响二极管的最高工作频率。具体由谁决定,那看谁的影响更大。)
, d! u: Q( J, B" n# N# K肖特基二极管的反向恢复时间很短,所以其工作频率由结电容决定。PN结二极管,其反向恢复时间的影响远大于结电容的影响,结电容一般也就几十pF,因此其最高工作频率由反向恢复时间决定。而与此同时,我们知道,肖特基二极管与PN结二极管相比,肖特基速度是最快的,可以工作在更高的频率。3 K" Q; q4 I5 F9 F
  t. q! _( S2 c- L3 x" z
5、结电容CT:二极管会存在寄生电容,这个电容主要就是结电容,这是简单的二极管模型。, g& z- w( }- j" T; I& k& H
datasheet中反向恢复时间和结电容。( X- i/ L4 K' H* M
# S6 B, n; L; |7 C
四、稳压二极管
- ^$ ~: b9 K: }' H4 O稳压二极管又叫齐纳二极管,利用pn结反向击穿状态,其电流在很大范围内变化,但是电压不变的特性,起到稳压作用的二极管。0 B3 x6 k/ \+ z: T' {
( \# \5 o" V* H& c. Q, k
五 、快恢复二极管
: N9 ^9 A, r) N- [1 }! K8 ^: @, vFast Recovery Diode FRD(快速恢复二极管)快速恢复二极管的结构和功能与整流二极管相同。整流二极管用于500Hz以下的低频应用,而FRD则用于从几千赫兹到100kHz的高频开关。因此,二极管具有反向恢复时间(trr)很短的特性,这对高速开关非常重要。
* r+ h+ m0 F: |" U7 b4 y# z6 t; w/ X6 V( p
此外还有:肖特基二极管,检波二极管,开关二极管,可变电容二极管。
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发表于 2022-10-10 13:55 | 只看该作者
有近一半的元器件失效,不是由于元器件的固有可靠性不高,而是由于使用者对元器件的选择不当或使用有误造成的。
' G* T5 q* w  Z/ s0 H; F- c& Y为了保证电子产品的可靠性,必须对电子元器件的选择和应用,严格控制。

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发表于 2022-10-10 14:43 | 只看该作者
电子元器件的可靠性分为:固有可靠性,使用可靠性。
( l/ I* I4 C) V3 j- D7 g固有可靠性主要由设计和制造工作来保证,这是元器件生产厂的工作!

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发表于 2022-10-10 15:04 | 只看该作者
一般要求:器件要有5年以上的生命周期,并且有后续完整的产品发展路标。保证我们的产品不能断粮!!!
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