NTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G单N沟道功率MOSFET场效应管

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, `, u* ~6 n, y# _: k
* o- K0 R- b8 P) j' B5 mNTMFS4C05NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，78 A，3.4mΩ
& Y. p: l- H: k, n- t1 P规格：
FET 类型：N 通道
3 V9 K6 `( Q) _技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
) u# `# b, S6 L, s) Y* g  u25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：14 nC @ 4.5 V
# d9 B  D8 X  D; A* uVgs：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V
2 k& W/ J$ K" Z- l' G( z, |功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
, G7 U2 ?7 e, H9 C, Z供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
( A  e' y& m. Q7 S1 X/ z. L" Q
特性：
低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
& E; G/ z& ]9 D. r; J, w" G低电容以最大限度地减少驱动器损耗
优化栅极电荷以最小化开关损耗
符合 RoHS 标准
/ b, W% F0 O2 m+ z& _
9 }2 f5 s* w+ z8 M& K应用：
0 G$ S: K( n5 _CPU 供电
7 P8 b' _9 q0 r4 Q3 T  GDC-DC转换器

; G9 D* I9 j$ vNTMFS4C09NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
规格：
7 S  V0 W' x* S5 R$ AFET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
2 M. V  D; C7 c7 o$ Q' M5 K漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
6 F+ Z8 y/ o2 F8 @3 j+ `$ ?驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：5.8 毫欧 @ 30A，10V
9 z% F/ p! h% r0 A- y. n5 q不同 Id 时 Vgs(th)：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：10.9 nC @ 4.5 V
Vgs：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1252 pF @ 15 V
功率耗散：760mW（Ta），25.5W（Tc）
, h8 F8 ~8 c- @  o9 _4 t工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

' U% O5 V# H9 D$ y" \3 v特性：
3 p0 j' N7 n% n! j低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
低电容以最大限度地减少驱动器损耗
. K+ _: q0 u5 h, r  X优化栅极电荷以最小化开关损耗
符合 RoHS 标准
6 S( z+ M* v, K4 A
, W# S# K4 d7 B1 Y" q& ]应用：
CPU 供电
# H$ ~, j$ A* @) j9 |, \DC-DC转换器
+ Z* ?2 f2 R" w; g
1 B/ p( n0 o% R) w; g1 jNTMFS4C55NT1G：功率 MOSFET 30 V、78 A、单 N-沟道、SO-8 FL
特征：
低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗
# X" S+ a1 k$ r" h' C低电容以最大限度地减少驱动器损耗
$ Z8 }# ]' `. w. A  J优化栅极电荷以最小化开关损耗
! U% i1 v: k4 M7 Z* n这些器件无铅、无卤素/无 BFR，并且符合 RoHS 标准
$ t/ q  i- d7 T. M  s( b+ F
* y8 a3 E  S) _; [: [" u应用：
CPU 供电
DC-DC 转换器
3 c: y! H7 C7 S# ^8 ]
  A$ C( _) ^$ ^* yNTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G：单N沟道，功率 MOSFET场效应管！
. Q( G2 N5 v% ^9 _1 l中间的最大电流承载力小，电阻大。选用时，根据参数选择需要的芯片。
) [9 d( d4 w5 B; h" d8 t$ g% ^7 ]: b

niubility

低电容以最大限度地减少驱动器损耗: 这样的话，大电压就比较危险了！随时准备烧了，当然，在安全的情况下，还是尽量的小

zhi_hui_zhou

$ q; Y0 x% a; S& W7 ?
MOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的