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三次电源: S/ O, b5 E9 R9 p+ A5 [9 s5 O0 m
1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。
% B1 A- ?, R0 b0 G/ l9 F/ ^" R2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。
7 W4 d- C) s- ]9 [" E, e% [3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。
" @ d) d) M# p' t! A4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。
+ t* z* A o' M, z, ]$ p/ C& S5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。
& Q9 v- T, C. ~6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。" j# W, f* r6 }. x4 u. R n' h
二次电源6 K0 {8 f5 x3 \6 C
1. 电流和上边说的一样来算
7 A9 z- U2 @ u2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。: Y5 T" g' r; Z* q
3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力
# {: Y+ G& G# _, r9 k. ]4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力& @) W8 Z1 @- l
5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。
% e- r6 n$ s# c2 u; @6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。6 B5 u0 y+ I1 S5 W
还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。 |
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