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三次电源:
3 c; H% ^! }- U7 m9 }5 }1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。3 W& c- m# P( t* S, }8 `$ ~% X
2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。
' N1 E! c4 E' [. x$ f3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。
6 S( k8 S: _. B3 k' {+ [* L4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。3 e4 @- n1 m" r, h6 c) W+ r3 D
5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。6 ]' M: f v' m; ?
6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。6 e* {2 ]& j A' t" j
二次电源$ l- g; c- j8 @' r
1. 电流和上边说的一样来算% |/ ]. |6 A- g9 j/ x5 j) W6 i- l: Z
2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。: @& W( w# B8 X, a9 j7 B% l
3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力
' x' B4 B& _* Y4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力
, X) @* U6 |4 e5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。
# O9 O/ {' T) {. P, ^6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。
0 X0 s! k2 Q& t5 K* h还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。 |
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