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三次电源:
/ t* R% T7 K! r& A H4 {- _2 t1. 输入/出电容靠近管脚放置,输入电容容值小的电容更靠近管脚,输出电容容值大的更靠近管脚。
/ k3 Z A$ Q! D2. 控制信号尽量做宽,降低走线感抗,可以有效降低控制信号上的噪声,防止低温下出现电源复位。) e. V2 _; ?- q5 c
3. 功率地和小信号地做单点汇接,汇接线尽量走粗,降低感抗,原因同上。% x% Q2 G* q k1 B* `
4. 输出输入电容的地回流路径圈圈竟可能做小。/ I9 n% |3 {, m9 S0 U# O
5. 温升在10°时候,电流按照1oz铜厚=1A,10mil孔径过孔一个=1A,此为保守估计。
5 M( _) ]6 g( e1 O9 J0 x( S' T6. 电源的输入输出管脚附近是开关噪声很大的地方,尽量不要有其他走线在焊盘下层穿过。
% B, I1 i+ W9 p5 P) k; W0 w5 ?二次电源 H7 _% ]& P, E0 H5 B) f
1. 电流和上边说的一样来算
# A& w- H! C* D& j d* J% L2. 注意原副边安规要求,表层2mm,内层30mil的距离,要有清晰的分隔带,光耦,桥变压器跨在分隔带上。& A5 o' f* O5 R) A+ D# m
3. BUCK,桥,或者推挽,BOOST等等的上下MOS管的回流路径做小,铜皮尽量表层铺大,加强散热。回路感抗做小,减少MOS管应力
; m4 y; R* \ J9 p4. 吸收电路的走线尽量走宽,最好能普通皮,可以减少感抗,降低MOS应力
) A# C, J8 W A5. 功率部分和小信号部分地分割,在第二层做单点汇接,汇接宽度在3-4mm左右,不要在瓷片电容附近汇接,最好的汇接为止在电解电容的地附近。
: E: Y* x/ @6 n% n9 q2 o1 x( ^" m6. 驱动芯片尽量靠近MOS放置,减少驱动线长度。下管的驱动线回流是地,上管驱动线回流是SW信号,需要伴随走线。
% @9 t0 g# s5 D7 v7 ~* n c还有些常规的安规爬电距离避让不用说了。这只是我个人经验,很不全面,如有问题请大家指正。 |
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