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1、W74M12JWSSIQ ，IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8SOIC
) X+ }, M" r( S0 @2 M) x& R1 @存储器类型：非易失: T1 U2 q+ ~9 `. \2 S) N: r
存储器格式：闪存" a. R. e5 f: h
技术：闪存 - NAND
9 i$ A4 v9 i7 V% ?存储容量：128Mb（16M x 8）
/ J a# G3 D$ i5 l2 `8 A# B存储器接口：-
H( a( g: ?5 y' Y( D0 G" T时钟频率：104 MHz/ S& s! X* N3 E. q! `
写周期时间 - 字，页：-
8 p( L: b/ e& s5 z( z. u电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V- q2 h8 [4 W( j* M6 s9 S
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
1 a- m8 z5 R/ o7 T% |4 g3 y安装类型：表面贴装型
/ q& z/ c9 M7 P7 |. K封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
& c. x+ u/ k: X供应商器件封装：8-SOIC0 f- a+ [3 y5 P2 ]& s2 e5 W
$ q w$ W# g& V7 R& U
2、W25Q64FW（64M 位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。 25Q 系列提供了远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。 它们非常适合将代码映射到 RAM、直接从 Dual/Quad SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。 该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电，工作电流消耗低至 4mA，断电时电流消耗低至 1µA。 所有器件均采用节省空间的封装。
% f9 J) Q, V" P' lW25Q64FW 分别有 4,096 个可擦除扇区和 256 个可擦除块。 4KB 的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。4 J: r9 W7 I2 C9 {- O; D8 q& x
' C! c4 A+ d! o' n. r5 N @2 o9 _) yW25Q64FWZPIG，IC FLASH 64MBIT SPI 104MHZ 8WSON1 c* {4 I/ u2 h! G! w
存储器类型：非易失
e% H6 [9 f E6 o存储器格式：闪存) V# L6 }4 P: k, H! J5 }
技术：FLASH - NOR+ s$ b1 H2 \2 O3 H& B
存储容量：64Mb（8M x 8）
1 j, K! v8 ^& A) x, c4 S存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
1 y5 H8 \& {0 T% I7 W1 g时钟频率：104 MHz5 m% j) b0 G, `. z+ K9 l. T
写周期时间 - 字，页：5ms
* Q5 W7 M; ?: A1 w电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V5 M" X9 B' d! h2 p. M
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
* T. l' A+ }6 M# B& w% F G安装类型：表面贴装型1 Q5 o& p0 ` v4 ]
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
# n+ i3 |& }! h4 ^6 j4 @- `' f供应商器件封装：8-WSON（6x5）6 D% o& b8 X+ G: j! N6 F) p
存储器W74M12JWSSIQ（128MB）、W25Q64FWZPIG（64MB）+ D2 Q( g( R+ Q0 L" l2 O
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发表于 2022-9-16 10:31
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