Class-D功放电路可用FHP35N20W场效应管

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6 p" N( W* ^9 X' A: J! u对于Class-D功放电路的电子元器件使用，在MOS管领域会有哪一款产品比较适合应用于该场景呢？是否有比较好的代换型号？
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+ Q" l) |3 ~5 {: B对于场效应管的代换使用，电子工程师还是需要注意产品的特点来进行考虑的，比如应用于功放产品的话，我们一般建议选择针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现好的MOS管。

3 k- I7 G- i0 F" O. P% ], s现在市场中IRFB31N20D场效应管是有常用于Class-D功放电路的，究竟要如何选择比较好的国产厂商进行替代呢？

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具备上述所说的优点的国产MOS管，还能替代IRFB31N20D场效应管的，我们一般优先推荐Class-D功放电路厂家使用FHP35N20W型号。

究竟为何推荐这一款35A、200V电流、电压MOS管的FHP35N20W国产MOS管替代IRFB31N20D场效应管在Class-D功放电路使用呢？

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除上述符合的特点外，这一款优质FHP35N20W国产场效应管还具备的产品参数有：35A、200V的电流、电压，RDS(on) = 69mΩ(typ) @vgs = 10 V；RDS(on) = 80mΩ(MAX) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±30 V。
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在测试中具有低栅极电荷、低Crss (典型值34pF)、开关速度快、100%经过Rg 测试、100%经过雪崩测试、100%经过热阻测试等优点。
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( j: C/ t$ ~- a( ?& v9 U  hFHP35N20W ，N沟道增强型场效应晶体管，采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、Qg、trr等参数，从而广泛适配使用在Class-D功放电路上，如汽车功放、DSP功放上。对标其它场效应管品牌型号：IRFB31N20D。

& g( @/ S; Y% W! @FHP35N20W的封装形式分别是TO-220封装形式。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：35A；BVdss（V）：200V。

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综合以上的产品参数，功放的场效应管：FHP35N20W型号参数来替代IRFB31N20D型号。

200V、35A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。半导体的MOS管已经广泛应用于功放行业、智能家居、新能源电子、电动车、汽车电子、LED照明、家电、锂电保护、驱动电机等领域，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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芯片之间的代换主要就看的是电压和封装