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电容充电时间、MOS栅极驱动、TL431基准、运放跟随后ADC采样、复合管和互补推挽优缺点
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5 P+ P0 h9 m, L% ?6 H! _+ ^/ Y1.电容充电时间和触发脉冲的重复周期，充电时间远远小于触发脉冲的重复周期就可以确保电容充满，为什么？如果充电时间接近或者大于触发脉冲的重复周期是不是已经放了一部分电？
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2.在射极跟随器的输出上附加了PNP三极管Q2，使场效应管关断时放电高速化，这个效果是不是和互补推挽这个图在MOS的栅极反向接二极管一个效果？
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% O' W& k% S2 W# v6 }. C3.复合管和互补推挽优缺点；互补推挽比起复合管、OD开漏输出等驱动模式驱动能力强的原因是因为驱动电压上限可以到VCC，而关闭电压下限可以到GND？ h8 G* [9 U+ k# S) X3 Y7 g( m
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4.基准电路用高精度电阻分压还是用TL431，在什么场合TL431这种标准的基准源时必须的？
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5.运放跟随、π型滤波后ADC采样有哪些好处？这里电阻、电容取值的依据是什么？* E# W) C0 t1 @3 q
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8 u- i5 s7 t+ | }, s8 ~6.电阻分压后，并一个二极管到5V，是为了使得ADC端采样电压不穿过5+0.7=5.7V?
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发表于 2022-8-19 15:03
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