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英飞凌1200V 沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）. V* p* G9 `5 \$ U, S. Z2 M
英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。
! D" d9 i; k/ M) n$ B) v2 {2 ^7 @# _
型号：IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1# n& a" f+ y5 \# V/ `1 S0 J. c( q
3 o; |* O/ l0 s2 d8 K
批次：最新21+
# F" W: h, x [1 @描述：采用TO247-4封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
% `, h& f6 W# q$ N
- l. |4 Q& t3 z! V9 f9 ?% e- k5 q优势
. c. ^5 x. X9 c最高效率
' J! [; m7 s4 `% |减少冷却工作
0 w4 ?- o! m- K$ s7 b! W2 }) K: N; n: b更高频率的运行. ^ X3 { |- \, F) |$ w
增加功率密度
) ~* x9 o/ I* N6 a4 F0 [降低系统的复杂程度
. h, t. f$ R" M6 `: N7 K& f
' s! N$ P/ A9 k5 [/ o% w0 x
N! o; n3 d- F3 Q/ U, ~1 L' P规格
& B6 Q- ?5 _: r+ J9 cFET 类型 N 通道 技术 SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss） 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.9 毫欧 @ 108A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V Vgs（最大值） +20V，-5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 750W（Tc） 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 PG-TO247-3 封装/外壳 TO-247-3 0 h G& L, A: T5 G5 W
应用领域
B/ n# b& X R: G& l) A电池化成
8 u% d# i/ E# n' a8 n- S/ k- W7 W9 N# K电动汽车快速充电: e# b" e8 c! b. @0 C
电机控制和驱动
; e' c" s, Q( F% n! T0 z电源2 w* U* X: C/ P* w/ k, }. x
太阳能系统解决方案* D% M' O; `* |3 k W
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电子库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源ic、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。! V! R, R! c. Q! m
. h' r' L% [0 O: L; Z& R英飞凌沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）
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发表于 2022-8-19 09:59
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