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P型MOS管的导通条件是什么?

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-8-16 13:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    是不是 uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压. l- z4 u4 G/ w  ]
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    开心
    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-8-16 14:35 | 只看该作者
    P型MOS管的导通条件:
    % y; v; G, w2 L& O+ o" B4 [靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
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    开心
    2022-1-29 15:07
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-8-16 14:46 | 只看该作者
    1、对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同。0 f: G- e9 i& D4 i9 ?1 K. |( w( t
    2、PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。! z, E/ w/ y! Z" S9 ?5 ^3 ]
    3、但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2022-8-16 14:54 | 只看该作者
    对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同。
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