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(介绍)MT25Q 串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性,易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间,同时确保与现有和未来设计的兼容性。/ G# I8 B+ O: i
MT25Q 串行NOR闪存具有低引脚数,简单易用,是适用于编码阴影应用的简单解决方案;只需在存储器中提供一个起始地址用于读取,然后即可在整个存储器阵列中连续地从器件输出数据。高级安全和内存保护等特性可让您高枕无忧,确保重要程序代码和敏感用户数据的安全。MT25Q 串行NOR闪存解决方案可满足您的任何应用需求。该款双四路串行NOR闪存在单一封装中集成有两个四路I/O器件,以打造8位双向I/O结构。Micron双四路串行NOR的工作频率为166MHz,将上一代串行NOR的最高带宽速率提高了一倍(从83MB/s到166MB/s)。
) g1 l& {7 |. r* v0 n( u- O特性' M$ Y# D- R- u6 j+ e
较低密度、低引脚数(串行)
7 }' t- ]9 `$ P简单易用7 K" G" R/ p0 k5 g3 ?
可靠的代码和数据存储. R2 S* r5 Q& }$ I- C* s+ j. ^
快速读取和随机访问时间
; n/ l. p5 P0 w& @# E7 v较高的耐用性和数据保持力, r* J& }/ \8 t% I( w8 S
规格参数! }& \2 ?3 N- J1 X; r
1、MT25QU02GCBB8E12-0SIT,IC FLSH 2GBIT SPI 133MHZ 24TPBGA8 O1 [! ~* e* f" o4 z2 Q, v* K
存储器类型:非易失
4 Y+ Y* j* ^" Z+ v' U存储器格式:闪存
2 v4 I- ]3 {& O! Q技术:FLASH - NOR
5 }& a1 w' z' O2 Y( P& w6 D存储容量:2Gb(256M x 8)
3 K3 D. L! H% q" F8 X' W" T; U存储器接口:SPI
4 w/ D, \% ?' m' B时钟频率:133 MHz3 _. k# a6 S2 P4 U# D' z6 k$ }- }/ I
写周期时间 - 字,页:8ms,2.8ms) E( q! G+ t' t/ h& f8 L
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
6 Q$ ]5 S3 ?0 e4 b工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
8 q6 U* {5 M0 i+ G安装类型:表面贴装型5 n( b" M+ x$ I" \: o- Y
封装/外壳:24-TBGA
; i. S* p+ P* @$ u1 F* E7 t3 C供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8)
0 J8 r: D/ t6 I! {0 V0 ~基本产品编号:MT25QU02
) X/ ^1 \. V; a: ^( A8 [2、MT25QU01GBBB8ESF-0AAT,FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI 133MHZ 16SOP2
- J9 y2 O4 k" U9 r/ T+ [存储器类型:非易失
! |$ w+ J: _) [5 X+ h3 F& D2 @1 e存储器格式:闪存
* u1 B% T" T2 u7 E% a6 Z, l1 p. w. Y0 i9 R技术:FLASH - NOR
2 @9 l- D/ `# _$ |% ~; t7 H0 `4 t存储容量:1Gb(128M x 8)
- S$ K& U/ I( n# i; F存储器接口:SPI$ q( R2 |0 W. ~% N: G
时钟频率:133 MHz) o( Q% l' X+ D, J9 H" O
写周期时间 - 字,页:8ms,2.8ms* M; L" Z3 l) r4 @6 g4 B: T
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
. i [' j3 t6 w& Y. m工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
) j( o- T+ V' v9 x$ o安装类型:表面贴装型
' l; k: _$ y3 C( T I6 z' Z9 [8 d封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)1 ?# q. |) v% D8 Q$ c5 Z9 p: K
供应商器件封装:16-SOP2
+ x. u- G. v* l1 N6 J# [基本产品编号:MT25QU01' }7 T; p! U$ a: E' B' L& O5 l
: F9 u) L: ?% t. y& S2 Y
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