AUIRF8739L2TR：N 通道 40 V 57A 晶体管

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AUIRF8739L2TR：N 通道 40 V 57A 晶体管

特征：
/ P( v) @8 N+ J) k先进的工艺技术
$ Y9 Q; c9 E7 ~% `针对汽车电机驱动、DC-DC和其他重负荷应用进行了优化
超小的尺寸和低矮的外形
, ~7 ^. ]7 s" i3 }高功率密度
3 G7 i$ j7 K9 O低寄生参数
双面冷却
, T  ]  y8 |, K8 K% {  F+ p175°C工作温度
允许重复雪崩，最高可达 Tjmax
无铅，符合RoHS标准，无卤素汽车认证
& W( |! _2 J! y
8 s9 b0 {/ J0 ^5 y概述：
. z, d" N/ K, iAUIRF8739L2结合了最新的汽车HEXFET®功率MOSFET硅技术和先进的DirectFET®封装技术，以实现卓越的性能，其封装尺寸为SO-8或5X6mm PQFN，轮廓仅为0.7mm。DirectFET®封装与电源应用、PCB组装设备和气相、红外线或对流焊接技术中使用的现有布局几何图形兼容，但必须遵循有关制造方法和工艺的应用说明AN-1035。DirectFET®封装允许双面冷却，以最大限度地提高汽车电源系统的热传递。

属性：
3 _. ?8 h8 |- D5 n  s  uFET 类型：N 通道
# p! |1 E, I( o4 }' k2 J, S技术：MOSFET（金属氧化物）
4 R; C6 @2 P8 i: F9 h漏源电压（Vdss）：40 V
: h+ N5 w0 ^& R2 E' O- y: U3 q25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Ta），545A（Tc）
4 z; g3 _3 X. [, C驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.6 毫欧 @ 195A，10V
4 {. v6 y1 L( h6 K不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：562 nC @ 10 V
& Q5 D' Z$ b+ s7 u5 c& \* b/ @Vgs（最大值）：40V
; Z2 M# v2 `' f0 _8 O% |- F不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17890 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），340W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
, l8 A# D' o3 R安装类型：表面贴装型

( G( ?" J9 Z, l, S$ L+ M. ?  AUIRF8739L2TR：N 通道 40 V 57A 晶体管！

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