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智能功率 CSD95481RWJ 半桥驱动器/AUIRF8739L2TR 汽车电子 MOSFET

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发表于 2022-8-1 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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CSD95481RWJ 半桥驱动器/AUIRF8739L2TR 汽车电子 MOSFET 晶体管!!!- U+ c% c: O2 }" c: C2 G7 T3 C
8 E6 `7 ]( y' c9 \1 d) w
供应型号:CSD95481RWJ/AUIRF8739L2TR
) ]/ W8 E# d' k年份:21+
6 I7 E# ?5 e( g封装:VQFN-41/SMD
# ?$ I! Z" _3 i0 r7 v
- s+ n1 m# V1 L$ i- z6 k! CCSD95481RWJ 智能功率 半桥驱动器 3个输出配置3 f( N1 Q  Y) D( y$ X2 d% {9 P$ [
规格; E+ m) {$ S0 Y$ J/ j7 w
输出配置 半桥(3)" y1 \. L# [! C" p2 |9 r8 z
应用 同步降压转换器' A2 S0 e/ H) n4 V) x' ?
接口 PWM. g) h$ s/ ~- a' k
负载类型 电感,电容性
) H6 W. W6 V! p' H技术 功率 MOSFET* |  @- p3 _3 o: \1 x
导通电阻(典型值) -$ q' V7 |$ t; r3 L) I% P
电流 - 输出/通道 60A9 d4 N. b7 z/ ]8 Z* n
电流 - 峰值输出 90A, u1 ]0 |# f, [6 A% J; C4 t& Z
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V$ v% j! y7 k# F  e2 r
电压 - 负载 4.5V ~ 16V
4 ?! ?5 c6 ^" ]! t3 u9 g0 u工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
6 m' `# u. n2 A3 ^/ o! i特性 自举电路
2 Z& U& m" j$ A# V, U) r7 h8 W5 @故障保护 击穿
4 w5 G% k; d) R5 X0 o% e安装类型 表面贴装型
8 J9 E* r* N9 E% M! N# |封装/外壳 41-PowerTFQFN
* l4 g' @% Y# M4 G& h. f供应商器件封装 41-VQFN-CLIP(5x6)
0 A5 {& e+ l; ^* I6 n/ B, ?! X( b; ]7 i9 j8 H; z
AUIRF8739L2TR 汽车用MOSFET N沟道 57A DIRECTFET
. ^8 U8 Y+ l/ Q$ T/ T6 BFET 类型:N 通道
* m9 Z  u+ e' F# p3 W/ t9 x技术:MOSFET(金属氧化物)
9 p( b: J- n6 ]9 c  K漏源电压(Vdss):40 V
: [" o4 S; y2 x: G. t, q1 ?" @25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A(Ta),545A(Tc)9 N& X, c, d& i, k( A+ r. @) Y8 y
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  U, L- @, K( `' S% v不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.6 毫欧 @ 195A,10V
" S' Y; `1 r" {0 N9 c不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA( {' i4 t: C$ X: H- `% N; ?! |4 f
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):562 nC @ 10 V
8 |) J. q  ]- c# @& ?8 ~$ R- OVgs(最大值):40V
* i4 g9 W% q& E  J; K4 B& t7 O) c) o' N不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):17890 pF @ 25 V9 I- f* V5 P. ^
FET 功能:-
) r  }6 L/ e( R3 l0 n% E功率耗散(最大值):3.8W(Ta),340W(Tc)
% D  l' h8 k  L" q工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
, k2 n- o; w2 p6 T7 j安装类型:表面贴装型2 i2 }/ ?3 d* U/ @" q2 ^
供应商器件封装:DirectFET 等距 L84 ~; A- C/ v3 Z/ e3 N

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2#
发表于 2022-8-1 11:02 | 只看该作者
在一起互相交流学习,共同进步,

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3#
发表于 2022-8-1 14:09 | 只看该作者
在一起互相交流学习,共同进步,O(∩_∩)O哈哈~
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