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256Mb位串行NOR闪存存储器

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发表于 2022-7-27 09:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MX25U25673GZ4I40:256Mb位串行NOR闪存存储器
1 E& ?, [0 L; Z6 U- e6 I  a& G" t8 Z* i: W/ V
特点:% @8 K. N7 M7 S) ^
一般的支持串行外设接口模式 O 和模式 3
3 ?$ f8 U" r4 Y单电源操作
- P: h" M: J/ L( {  |' _* U: B' g0 P1.65 到 2.0 val 用于读取、擦除和编程操作
* {0 `% R8 b4 ], l0 G256Mb:268,435,456x1 位结构或 134,217,728 x2 位(两个 VO 模式)结构或 67,108,864x4 位(我们的 VO 模式)结构' C1 k2 z) Z- ]3 K- r9 K/ U
协议支持. M) `! ~; c3 G' l% u9 w' t4 D
单 VO、双 LO 和四 VO4 v* Z3 P, P( ?. z3 [
闩锁保护至 100mA fram-1V 至 Voc+1V SPI 模式的快速读取9 l; j4 u# A! H3 Z9 H
支持快速对接频率p至166MHz9 G& I% L% `$ a7 t
支持Fast Read、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令, i$ W5 U( D+ I9 [
支持 DTR(Double Transfer Rate) 模式 - 可配置的 dummy cyde 数用于快速读取操作
/ B, e3 U8 V) K& U; v# E7 X1 d支持性能增强模式-XIP (execute-n-place)+ ?1 @4 M; ?+ F; U
四球面接口(QP) avalable- w  n+ F* v: Q* C4 o, F
永久 fored CE 位(Quad Enatie 位:QE=1 和 4 1/O 模式始终启用! ?/ f' L$ \, n4 B
每个 4K 字节的相等扇区,或每个 32K 字节的相等块或每个 64K 字节的相等块; Z. L* @& v2 }6 K5 e
可以单独擦除 Ary Block 编程:
4 @& T2 B9 `5 k: w$ X7 |256字节页面缓冲区% ?$ l4 ?8 e# L3 F1 d0 m
四路输入输出页面程序(4PP),提高程序性能8 L4 H# r; ]) f/ q
典型的 100,000 个擦除程序循环 20 年数据保留% R; r3 H  x3 \. k6 T
软件功能  X; W9 U% g5 r3 l) {
输入数据格式 -1 字节 命令码 高级安全特性 -块锁定保护  W9 w) x9 E6 ~/ ?% Q9 ?
BPO-BP3 和 T/B 状态位定义要防止编程和擦除指令的区域大小% ~: r6 Q0 O0 {# v" }$ a" e
高级扇区保护功能( T" x8 J% H* K# R6 f, R/ w' d6 o
附加 8K bt 安全 OTP
3 ?% ^/ J1 x5 o具有独特的Idertifior- i5 t- [' U! W& e  I8 f
工厂锁定可识别,客户可锁定
3 {3 r6 L7 C/ s/ m& Z9 N命令重置* K9 G" k6 z! M- f! }
编程/擦除暂停和恢复操作: L) N# ?. m/ c5 s1 D% R" D
电子识别1 g0 `& x$ U9 W7 ~7 [2 a- r& p
JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节设备 ID- S  _; \( k. S' n' y! M
1 字节设备 ID 的 RES 命令  \8 l& C0 x; ], ^8 X; F0 |3 y
REMS 命令用于 1 字节制造商 ID 和 1 字节设备 ID" `' M0 E7 p$ U% [
支持串行闪存发现参数(SF DP)模式7 p4 P2 G' n+ G0 k# C2 P; F
硬件特性 SCLK 输入2 q! V; V, [' S8 n' W, I: Q) W
串行扩展坞输入 SUSIOO6 q7 i; X- [. w3 a2 C3 v, n& a* x" D7 S
用于 2 x1O 读取模式和 4x/O 读取模式的串行数据输入或串行数据输入输出
! t0 d1 w2 R! x3 X% MSO/SIO1
: f/ i; Y) c) C5 d/ M/ p用于 2xVO 读取模式和 4x/O 读取模式的串行数据输出或设置数据输入输出$ X# h& K4 x  h% A8 J
SIO22 v* E' y9 ]' e. K7 a% [2 _: `
4x VO 读取模式 SIO3 的串行数据输入/输出, h- x- c+ r: I3 j$ v* |3 W3 D
串行数据输入/输出 4xVO 读取模式 RESET#( G& j4 J$ s& s
硬件复位引脚封装* B% F, R0 C) F' p
16针SOP(300ml)
5 O. w1 _, r1 x' T$ }24-Ball BGA(5x5 bal aray)
( O4 B* W! s+ w# [, o9 T. o1 p& jB-land WSON(Bx6mm 3.4x4.3EP)
" l' y& ?7 l! c1 F所有设备均符合 RoHS 标准且无卤素
! Q5 N# f; s3 c& G9 A- \& R& G8 a1 n+ W- m9 _
主要特征:
1 ]/ K6 O/ D) ~- A4 r: O# b3 G& y多 /O 支持 - 单 /O、双 /O 和四 /O
' Y) p" K0 v& s$ M5 OQuad /O 模式永久启用- ^( H$ p6 H5 y/ i- ?6 a2 J3 ?& S
支持 DTR(双传输速率)模式
. m7 r0 I2 [, b, V# P# Z) o0 R8/1 6/32/64 字节环绕读取模式
2 e6 x$ ?4 W& Q  B, }% U
1 a3 \, D; L, _描述:
5 A, v, R) g+ @1 K7 R6 F2 WMX25U25673G 是 256Mb 位串行 NOR 闪存,内部配置为 33,554,432 x 8。 当它处于两个或四个 l/O 模式时,结构变为 134,217,728 位 x 2 或 67,108,864 位 x 4。MX25U25673G 具有串行外设接口和软件协议,允许在单 /0 时在简单的 3 线总线上运行 模式。 三个总线信号是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。 通过 CS# 输入启用对设备的串行访问。
! F4 ]& V8 }6 K- C7 w4 Y9 P2 A* V5 w/ ^% g
MX25U25673GZ4I40:256Mb位串行NOR闪存存储器!& ?8 C) j' {3 ], I! }( G

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2#
发表于 2022-7-27 10:45 | 只看该作者
认真学习技术知识,ε=(´ο`*)))唉

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3#
发表于 2022-7-27 14:21 | 只看该作者
支持楼主,希望可以得到更多技术上的知识!

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4#
发表于 2022-7-27 14:26 | 只看该作者
认真学习技术知识,O(∩_∩)O哈哈~
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