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存储器选型

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:08
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-7-25 17:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    项目需要每40us存储一次数据,在存储器选型方面遇到了问题,3 }& g0 [5 A3 y7 o) H3 x) v) ]
    1. flash是否可行:我看flash的擦除时间都有50多us,这样在擦除的过程中岂不是不可以存储数据了?有没有擦除时间更短的flash,还是说flash的特性就是这样! U: j. v. ]0 {
    2. RAM是不是就不存在擦写时间长的问题?
    3 t1 `. o2 Q, ]2 Z. v

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2022-7-25 17:29 | 只看该作者
    擦除时间长于写入周期显然无法满足应用的需求,而且除了擦除时间还得考虑写入时间,二者之和满足写入周期才行。另外,长期写入的话,对于FLASH这类存在写入次数限制的存储器还需要考虑使用寿命问题。显然,你这样的应用使用RAM才是更合适的。如果需要掉电非易失,可以加后备数据保持电源或者采用RAM+FLASH的办法。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-7-25 17:41 | 只看该作者
    可以考虑国产存储器NVSRAM,擦写次数基本上可以达到无限次擦写,并且具有掉电保护。具体资料可以加我微信13728711035

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2022-7-25 17:47 | 只看该作者
    数据量不大用铁电,数据量大,用铁电+ SST  flash

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-7-25 17:51 | 只看该作者
    如果预算不够也可以考虑铁电存储器,FRAM相比FLASH和EEPROM有更大的读写耐久性,在写入时不需要等待时间。
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